有機トランジスターにおける有機/電極界面制御による新機能の発現
有機トランジスターにおける有機/電極界面制御による新機能の発現
批准号:
18028014
负责人:
夛田 博一
金额:
$2.75万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 --
中文摘要
有機半導体デバイスにおいて,金属電極と有機半導体の接合界面の構造および電子状態は,デバイス特性に極めて重要な影響を与える。本研究では,金属/分子接続界面におけるキャリア注入特性に注目し、界面の制御手法の確立と新しい素子の開発を目的とする。具体的には(1)金属電極表面の構造、凹凸を制御し、キャリア注入特性との関連を明らかにし、(2)正孔・電子の注入バランスを制御して、高輝度発光型トランジスターの実現を目指す。さらに(3)スピンの注入の可能性を探り,スピントロニクスデバイスへの発展を探る,ことを目的とした。発光トランジスターに関しては,単分子層の非常に薄い膜をチャンネルとする有機トランジスターからの発光を確認し,キャリアの注入効率との関係を明らかにした。さらに,金属電極への電流注入によるプラズモンの励起とそのエネルギー移動に基づく有機分子からの発光を確認した。プラズモンの励起を利用することにより,チャンネル内に挿入した金属線や金属微粒子からの発光が観察され,新しい発光トランジスターとしての可能性を示した。有機材料へのスピン注入においては,ハーフメタル酸化物を電極、とし,有機材料を挟む構造を作製することによりスピンバルブ特性を確認した。酸化物の作製条件を最適化することにより,原子レベルで平坦な表面を作製し,スピンバルブ特性における有機層の膜厚依存性を議論することを可能にした。有機材料が厚い場合には,有機材料のP型およびN型特性を反映するスピンバルブ特性が得られることを見出した。
英文摘要
有機半導体デバイスにおいて,金属電極と有機半導体の接合界面の構造および電子状態は,デバイス特性に極めて重要な影響を与える。本研究では,金属/分子接続界面におけるキャリア注入特性に注目し、界面の制御手法の確立と新しい素子の開発を目的とする。具体的には(1)金属電極表面の構造、凹凸を制御し、キャリア注入特性との関連を明らかにし、(2)正孔・電子の注入バランスを制御して、高輝度発光型トランジスターの実現を目指す。さらに(3)スピンの注入の可能性を探り,スピントロニクスデバイスへの発展を探る,ことを目的とした。発光トランジスターに関しては,単分子層の非常に薄い膜をチャンネルとする有機トランジスターからの発光を確認し,キャリアの注入効率との関係を明らかにした。さらに,金属電極への電流注入によるプラズモンの励起とそのエネルギー移動に基づく有機分子からの発光を確認した。プラズモンの励起を利用することにより,チャンネル内に挿入した金属線や金属微粒子からの発光が観察され,新しい発光トランジスターとしての可能性を示した。有機材料へのスピン注入においては,ハーフメタル酸化物を電極、とし,有機材料を挟む構造を作製することによりスピンバルブ特性を確認した。酸化物の作製条件を最適化することにより,原子レベルで平坦な表面を作製し,スピンバルブ特性における有機層の膜厚依存性を議論することを可能にした。有機材料が厚い場合には,有機材料のP型およびN型特性を反映するスピンバルブ特性が得られることを見出した。
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Light-emitting Field-effect Transistors Based on Organic Monolayers of Sihexylsexithiophene
基于有机单分子层六己基噻吩的发光场效应晶体管
DOI:
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发表时间:
期刊:
Molecular Crystals and Liquid Crystals (In press)
影响因子:
--
作者:
[A.Inoue, B.L.Shen, A.Takeuchi, 夛田博一, J.Nishida et al., M.Kakita et al.]
通讯作者:
M.Kakita et al.
有機半導体/金属電極界面の問題 I
有机半导体/金属电极界面问题I
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
応用物理 76
影响因子:
--
作者:
[A.Inoue, B.L.Shen, A.Takeuchi, 夛田博一]
通讯作者:
夛田博一
n-Type and Ambipolar FET Characteristics Using Pyrazinophenanthrolines Linked with Oligothiophenes
使用与低聚噻吩连接的吡嗪并菲咯啉的 n 型和双极 FET 特性
DOI:
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发表时间:
2006
期刊:
Chemistry Letters 35
影响因子:
--
作者:
[A.Inoue, B.L.Shen, A.Takeuchi, 夛田博一, J.Nishida et al.]
通讯作者:
J.Nishida et al.
金属ナノ細線の量子化熱輸送特性の計測
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批准号:23K17903
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2023
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
新奇高温スピントロニクス素子に向けた分子磁石内包ハイブリッド2次元ナノ構造の作製
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批准号:22KF0237
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2023
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
単一分子接合における電荷と熱の輸送機構の解明とその制御に関する研究
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批准号:22H00315
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$27.12万
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财政年份:2022
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
新奇高温スピントロニクス素子に向けた分子磁石内包ハイブリッド2次元ナノ構造の作製
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批准号:20F20070
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2020
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
単一分子のスピン依存電気伝導度計測
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批准号:21656004
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2009
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
極低温トンネル分光による単一分子の局所電子状態の解明とガス吸着の影響の考察
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批准号:18041010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2006
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
有機電界効果トランジスターの作製と評価
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批准号:04F04113
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
スピン偏極STMを用いた分子の磁気特性の観察と制御
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批准号:16651072
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.3万
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财政年份:2004
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
原子スケール表面改質によるシリコン―炭素結合の創成と局所電子物性の測定
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批准号:13874094
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2001
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
走査プローブ顕微鏡を用いた有機半導体のナノ領域電気物性の解明
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批准号:11875006
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1999
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
界面障壁変化型有機/無機ヘテロ構造インテリジェントガスセンサーの開発に関する研究
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批准号:11118238
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1999
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
界面障壁変化に基づく/無機ヘテロ構造の高感度ガスセンシングに関する研究
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批准号:10131237
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1998
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
海外基金