权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

有機電界効果トランジスターの作製と評価

有机场效应晶体管的制作与评估

基本信息

批准号：
04F04113
负责人：
夛田博一
金额：
$ 1.54万
依托单位：
Osaka University (2005)Institute for Molecular Science (2004)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2005
项目状态：
已结题

项目摘要

有機半導体薄膜を利用した電界効果トランジスター(FET)や電界光学素子(EL)といった「有機薄膜デバイス」も実用化に向けた研究が盛んである。しかしながら、金属電極から有機半導体へのキャリア注入機構や有機半導体内のキャリア輸送機構に関する基礎的知見は著しく不足している。本研究では有機半導体の電気的特性に関し、特に界面構造に焦点をあてて詳細に解明し、高効率有機トランジスター作製指針を導出することを目的とし、下記の研究を行った。(1)仕事関数の異なる電極を用いたトランジスターの作製(2)原子間力顕微鏡を用いた任意形状電極の描画手法の確立(1)に関しては、仕事関数の比較的高い「金」と低い「アルミニウム」を用いることにより、正孔と電子を効率よく注入することが可能となり、キャリアノ再結合による発光を確認した。(2)に関しては、電気化学的手法を用いた描画を行い、探針表面状態、溶液濃度、湿度、描画速度、印加電圧などの条件を最適化し、導電性基板表面での白金電極の作製を行うとともに、絶縁性基板への引き出しを行えることを見出した。最小の電極幅は1ミクロン程度であり、長さは3ミクロンであった。より細く、任意形状の電極を作製するために、描画用のプログラムの作成を行っている。

Organic semiconductor thin films are widely used in the field of electrical field effect (FET) and electrical field optical element (EL). The fundamental knowledge of metal electrodes, organic semiconductor injection mechanisms, and organic semiconductor transport mechanisms is insufficient. In this paper, the electrical characteristics of organic semiconductors, especially the interface structure, are studied in detail, and the working principles of high efficiency organic semiconductors are derived. (1)The method of drawing arbitrary shape electrode is established in the application of atomic force microscope. (2)The method of drawing on the surface of the probe, the concentration of the solution, the humidity, the drawing speed, the optimization of the conditions of the electric voltage, the operation of the platinum electrode on the surface of the conductive substrate, and the introduction of the insulating substrate The minimum electrode amplitude is 1 ° C, and the length is 3 ° C. The electrode of any shape can be made into a thin film or a thin film.

项目成果

期刊论文数量（2）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Electrochemical Dip-Pen Nanolithography of Conductive Wires on the SiO2 Surfaces

SiO2 表面导线的电化学浸笔纳米光刻

DOI：
发表时间：
期刊：
Proceedings of Materials Research Society Meetings (印刷中)
影响因子：
0
作者：
Zhang;C.;Takada;S.;Kolzer;M.;Matsumoto;T.;Tatsumi;K.;T.Sakanoue et al.;F.Zhang et al.
通讯作者：
F.Zhang et al.

Preparation of organic light-emitting field-effect transistors with asymmetric electrodes