原子スケール表面改質によるシリコン―炭素結合の創成と局所電子物性の測定
原子スケール表面改質によるシリコン―炭素結合の創成と局所電子物性の測定
批准号:
13874094
负责人:
夛田 博一
金额:
$1.41万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2001
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2001 至 2002
中文摘要
水素終端シリコン(111)面を作製し、末端に2重結合を持つ分子のメシチレン溶液中で加熱または紫外線照射することにより、シリコン-炭素共有結合を起点とする分子膜の作製が可能であることを確認した。原子間力顕微鏡(AFM)、フォースカーブ,接触角により,シリコン基板上に強固で秩序性が高く欠陥の無いシリコン-炭素共有結合性アルキル単分子膜が形成されていることを観察した。さらに,アルキル単分子膜上へのAFM陽極酸化によるナノパターニングを行い、特定の場所に特定の分子を埋め込める手法を確立した。アミノ基を保護基で処理した分子を用いてアミノアルキル単分子膜を作製し,その上に色素分子を固定化することに成功した。シリコン基板上に固定した蛍光色素からの蛍光強度は、シリコン基板のドーパント量に依存することがわかった。ドープ量の多い基板では蛍光が弱く、励起分子からシリコン基板へのエネルギー移動による失活によると思われる。また、本手法を用いて、シリコン製カンチレバーを分子修飾することも行った。分子が共有結合により固定されているため、熱的・化学的に安定な分子修飾カンチレバーが作製できた。このカンチレバーにより、摩擦力顕微鏡像を観察したところ、従来の親水性・疎水性の影響による摩擦力変化ではなく、分子の持つ静電力に起因する摩擦力変化を観察した。これらの手法を用いることによりシリコン-炭素の入出力インターフェイスを持つ分子システムの構築とその詳細な考察が可能となるのではないかと考えられる
英文摘要
水素終端シリコン(111)面を作製し、末端に2重結合を持つ分子のメシチレン溶液中で加熱または紫外線照射することにより、シリコン-炭素共有結合を起点とする分子膜の作製が可能であることを確認した。原子間力顕微鏡(AFM)、フォースカーブ,接触角により,シリコン基板上に強固で秩序性が高く欠陥の無いシリコン-炭素共有結合性アルキル単分子膜が形成されていることを観察した。さらに,アルキル単分子膜上へのAFM陽極酸化によるナノパターニングを行い、特定の場所に特定の分子を埋め込める手法を確立した。アミノ基を保護基で処理した分子を用いてアミノアルキル単分子膜を作製し,その上に色素分子を固定化することに成功した。シリコン基板上に固定した蛍光色素からの蛍光強度は、シリコン基板のドーパント量に依存することがわかった。ドープ量の多い基板では蛍光が弱く、励起分子からシリコン基板へのエネルギー移動による失活によると思われる。また、本手法を用いて、シリコン製カンチレバーを分子修飾することも行った。分子が共有結合により固定されているため、熱的・化学的に安定な分子修飾カンチレバーが作製できた。このカンチレバーにより、摩擦力顕微鏡像を観察したところ、従来の親水性・疎水性の影響による摩擦力変化ではなく、分子の持つ静電力に起因する摩擦力変化を観察した。これらの手法を用いることによりシリコン-炭素の入出力インターフェイスを持つ分子システムの構築とその詳細な考察が可能となるのではないかと考えられる
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Masato Ara, Harald Graaf, Hirokazu Tada: "Atomic Force Microscope Anodization of Si(111) Covered with Alkyl Monolyaers"Jpn. J. Appl. Phys.. 41・7B. 4894-4897 (2002)
Masato Ara、Harald Graaf、Hirokazu Tada:“用烷基单分子覆盖的 Si(111) 的原子力显微镜阳极氧化”Jpn. Phys. 41・7B (2002)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Harald Graaf, Masato Ara, Hirokazu Tada: "Force Curve Measurement of Self-assembled Organic Monolayers Bound Covalently on Silicon(111)"Mol. Cryst. Liq. Cryst.. 377. 33-35 (2002)
Harald Graaf、Masato Ara、Hirokazu Tada:“硅上共价键合的自组装有机单分子层的力曲线测量 (111)”Mol。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Masato Ara, Harald Graaf, Hirokazu Tada: "Nanopatterning of alkyl monolayers covalently bound to Si(111) with an atomic force microscope"Appl. Phys. Lett.. 80・14. 2565-2567 (2002)
Masato Ara、Harald Graaf、Hirokazu Tada:“用原子力显微镜共价结合到 Si(111) 的烷基单层的纳米图案”Appl. Phys. 2565-2567 (2002)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Takaaki Ishibashi, Masato Ara, Hirokazu Tada, Hiroshi Ohnishi: "Molecular Conformation of n-alkyl Monolayers Covalently Bonded to Si(111)"Chem. Phys. Lett.. 367. 376-381 (2003)
Takaaki Ishibashi、Masato Ara、Hirokazu Tada、Hiroshi Ohnishi:“共价键合到 Si(111) 的正烷基单分子层的分子构象”Chem。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Ara, H.Graaf, H.Tada: "Nano-patterning of Alkyl Monolayers Covalently Bound to Si(111) with An Atmic Force Microscope"Appl. Phys. Lett.. 80(14)(印刷中). (2002)
M.Ara、H.Graaf、H.Tada:“用原子力显微镜共价结合到 Si(111) 的烷基单层的纳米图案”Appl. Phys. 80(14)(出版中)。 )
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
金属ナノ細線の量子化熱輸送特性の計測
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批准号:23K17903
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2023
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
新奇高温スピントロニクス素子に向けた分子磁石内包ハイブリッド2次元ナノ構造の作製
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批准号:22KF0237
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2023
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
単一分子接合における電荷と熱の輸送機構の解明とその制御に関する研究
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批准号:22H00315
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$27.12万
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财政年份:2022
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
新奇高温スピントロニクス素子に向けた分子磁石内包ハイブリッド2次元ナノ構造の作製
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批准号:20F20070
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2020
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
単一分子のスピン依存電気伝導度計測
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批准号:21656004
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2009
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
有機トランジスターにおける有機/電極界面制御による新機能の発現
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批准号:18028014
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2007
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
極低温トンネル分光による単一分子の局所電子状態の解明とガス吸着の影響の考察
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批准号:18041010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2006
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
有機電界効果トランジスターの作製と評価
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批准号:04F04113
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
スピン偏極STMを用いた分子の磁気特性の観察と制御
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批准号:16651072
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.3万
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财政年份:2004
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
走査プローブ顕微鏡を用いた有機半導体のナノ領域電気物性の解明
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批准号:11875006
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1999
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
界面障壁変化型有機/無機ヘテロ構造インテリジェントガスセンサーの開発に関する研究
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批准号:11118238
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1999
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
界面障壁変化に基づく/無機ヘテロ構造の高感度ガスセンシングに関する研究
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批准号:10131237
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1998
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
海外基金