界面障壁変化に基づく/無機ヘテロ構造の高感度ガスセンシングに関する研究
界面障壁変化に基づく/無機ヘテロ構造の高感度ガスセンシングに関する研究
批准号:
10131237
负责人:
夛田 博一
金额:
$0.83万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份:
1998
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1998 至 --
中文摘要
大気汚染や悪臭など生活をとりまく環境衛生の問題は、早急に解決すべき最重要課題のひとつであり、高感度・高速に応答するガスセンサーの開発に期待が寄せられている。研究代表者らは、新しい検出方法として、金属/有機層/半導体(MIS)構造を持つセルを作製し、有機層へのガス吸着により界面ポテンシャルが変化することを利用してガスを検知する方法の可能性を検討した。金電極/金属フタロシアニン薄膜/シリコンの構造を持つセルが、アンモニアガスや二酸化窒素ガスに対して応答することを見いだした。基板としてフッ化水素処理したn型シリコンを用い、電極としては金を用いてショットキー障壁を形成し、有機層として酸化バナジウムフタロシアニン(VOPc)薄膜を挿入した。応答の様子は、VOPc層の膜厚に依存した。NH3に対する応答では、VOPcが厚い場合は、電気伝導度が減少する。VOPc層を挟まない場合は応答せず、VOPc層の厚み10nmのセルが高感度の応答をしていることがわかる。この場合電気伝導度は減少する。通常p型半導体特性を示すフタロシアニンは、電子供与性ガスのNH3の吸着により電気伝導度が減少することが知られており、VOPc層が薄い場合のMJS型センサーは逆の応答を示している。このことより、このセンサーでは、VOPc層の電気伝導度変化ではなく界面準位の変化を検出しているものと思われる。NO2に対しては、VOPc層が無くても応答するが、VOPc層の挿入により応答量が飛躍的に増大していることがわかる。酸素に対しては、電気伝導度が減少する特性を示し、NO2と区別することが可能である。このセルが、ガスの検知に使用可能であり、界面構造を制御することにより、高速応答性、高感度化、および高いガス選択性が望めると期待される。
英文摘要
大気汚染や悪臭など生活をとりまく環境衛生の問題は、早急に解決すべき最重要課題のひとつであり、高感度・高速に応答するガスセンサーの開発に期待が寄せられている。研究代表者らは、新しい検出方法として、金属/有機層/半導体(MIS)構造を持つセルを作製し、有機層へのガス吸着により界面ポテンシャルが変化することを利用してガスを検知する方法の可能性を検討した。金電極/金属フタロシアニン薄膜/シリコンの構造を持つセルが、アンモニアガスや二酸化窒素ガスに対して応答することを見いだした。基板としてフッ化水素処理したn型シリコンを用い、電極としては金を用いてショットキー障壁を形成し、有機層として酸化バナジウムフタロシアニン(VOPc)薄膜を挿入した。応答の様子は、VOPc層の膜厚に依存した。NH3に対する応答では、VOPcが厚い場合は、電気伝導度が減少する。VOPc層を挟まない場合は応答せず、VOPc層の厚み10nmのセルが高感度の応答をしていることがわかる。この場合電気伝導度は減少する。通常p型半導体特性を示すフタロシアニンは、電子供与性ガスのNH3の吸着により電気伝導度が減少することが知られており、VOPc層が薄い場合のMJS型センサーは逆の応答を示している。このことより、このセンサーでは、VOPc層の電気伝導度変化ではなく界面準位の変化を検出しているものと思われる。NO2に対しては、VOPc層が無くても応答するが、VOPc層の挿入により応答量が飛躍的に増大していることがわかる。酸素に対しては、電気伝導度が減少する特性を示し、NO2と区別することが可能である。このセルが、ガスの検知に使用可能であり、界面構造を制御することにより、高速応答性、高感度化、および高いガス選択性が望めると期待される。
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Hiroshi Touda: "Evaluation of Carrler Mobility of Phthalocyanine Films in NH_3 and NO_2 Gas Atomshere by Field Effect Measurment" Mol.Cryst.Lig.Crist.(印刷中).
Hiroshi Touda:“通过场效应测量评估 NH_3 和 NO_2 气体原子中酞菁薄膜的卡勒迁移率”Mol.Cryst.Lig.Crist.(出版中)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Hirokazu Tada: "Fast Gas Sewsing with Metal-Phthalocyanine Films in MIS Structures" Mol.Cryst.Lig.Cryst.Vol.316. 371-374 (1998)
Hirokazu Tada:“MIS 结构中金属酞菁薄膜的快速气体缝合”Mol.Cryst.Lig.Cryst.Vol.316。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Hiroshi Touda: "Field effects mobility of phthalocyawire films in various gas atomsphere" 信学技報. OME98-63. 43-47 (1998)
Hiroshi Touda:“各种气体气氛中酞菁薄膜的场效应迁移率”OME98-63 (1998)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Ligiu Men: "Narometer Scale Current-voltage characteristics of C60 films" Mol.Cryst.Lig.Crist.(印刷中).
Ligiu Men:“C60 薄膜的纳米级电流-电压特性”Mol.Cryst.Lig.Crist.(正在印刷中)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Hirokazu Tada: "NO_2 Gas Sensing with Au/Phthalocyanine/Si Heterostructures" Mol.Cryst.Lig.Crist.(印刷中).
Hirokazu Tada:“利用 Au/Phthalocyanine/Si 异质结构进行 NO_2 气体传感”Mol.Cryst.Lig.Crist.(正在印刷中)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
金属ナノ細線の量子化熱輸送特性の計測
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批准号:23K17903
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2023
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
新奇高温スピントロニクス素子に向けた分子磁石内包ハイブリッド2次元ナノ構造の作製
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批准号:22KF0237
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2023
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
単一分子接合における電荷と熱の輸送機構の解明とその制御に関する研究
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批准号:22H00315
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$27.12万
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财政年份:2022
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
新奇高温スピントロニクス素子に向けた分子磁石内包ハイブリッド2次元ナノ構造の作製
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批准号:20F20070
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2020
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
単一分子のスピン依存電気伝導度計測
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批准号:21656004
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2009
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
有機トランジスターにおける有機/電極界面制御による新機能の発現
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批准号:18028014
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2007
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
極低温トンネル分光による単一分子の局所電子状態の解明とガス吸着の影響の考察
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批准号:18041010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2006
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
有機電界効果トランジスターの作製と評価
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批准号:04F04113
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
スピン偏極STMを用いた分子の磁気特性の観察と制御
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批准号:16651072
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.3万
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财政年份:2004
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
原子スケール表面改質によるシリコン―炭素結合の創成と局所電子物性の測定
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批准号:13874094
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2001
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
走査プローブ顕微鏡を用いた有機半導体のナノ領域電気物性の解明
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批准号:11875006
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1999
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
界面障壁変化型有機/無機ヘテロ構造インテリジェントガスセンサーの開発に関する研究
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批准号:11118238
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1999
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负责人:夛田 博一
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依托单位:
海外基金