大気圧マイクロプラズマジェットによる基板表面反応の実時間その場観察
大気圧マイクロプラズマジェットによる基板表面反応の実時間その場観察
批准号:
18030004
负责人:
白井 肇
金额:
$3.07万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2007
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本研究は、各種電解質溶液をカソードおよびアノード電極とした大気圧プラズマの生成を行い、発光分光法(OES)、溶液のpH(=-log[H^+])および分光エリプソメトリー(SE)による実時間その場診断を通してプラズマ生成機構と溶液物理化学との関連を考察した。特に各種電解質溶液を対向電極とした空気およびArプラズマ生成に対して溶液構成元素の発光強度、電子密度、自己バイアス:Vselfおよび溶液のpH変化に着目した。その結果電解質溶液を対向電極とした大気圧プラズマ生成では、従来の溶液スパッタリング、蒸発に加えて、溶液のプロトン濃度に依存した2次電子放出過程がプラズマ生成に関与していることが分かった。特に平成19年度は、プラズマ状態の等価回路による考察および溶液pHと伝導度がプラズマ生成に及ぼす効果について検討した。プラズマインピーダンスは、これまでの溶液pH<2.5および10-13領域とそれ以外で顕著な相違を示した。さらに溶液の抵抗率はプラズマ生成に及ぼす効果について各種溶液を用いて調べた。塩、強酸、弱酸としてNaCl、HCl、CH3COOHを選択し、溶液伝導度とプラズマ発光、電子密度の関連を考察した。その結果各種溶液に対して伝導率:0.5S/cm前後で発光強度が極小値を示し、その前後で増大する傾向を示した。伝導率:0.5S/cm以上の濃度領域では、電子密度の増大に伴い発光強度は増大する。一方0.5S/cm以下の領域においては、プラズマの温度上昇にともなう発光強度は増大が見られた。この要因を塩、強酸、弱酸溶液内のイオンの水和状態および移動度の相違に基づいたモデルを提案した。さらにプラズマ照射により正イオンの照射により表面近傍にカソード電極層が形成されることで電気2重層が形成され、バルク溶液中の負イオンが電気泳動によりカソード表面に輸送され、放出される可能性を示した。実時間紫外・SEおよびポッケル素子を用いた表面電荷計測から大気圧プラズマ-溶液界面に電気泳動による吸収層の存在を明らかにした。これらの要因には、プラズマ-溶液界面における電気2重層の形成、電気泳動等の効果が揚げられる。
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Micrpopiasma discharge in ethanol solution: Characterization and its application to the synthesis of carbon microstructures
乙醇溶液中的微量放电:表征及其在碳微结构合成中的应用
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
Thin Solid Films 516
影响因子:
--
作者:
[Q. Cheng, K. Saito, and H. Shirai]
通讯作者:
and H. Shirai
特許権
专利权
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Rapid Recrystallization of Amorphous Silicon Utilizing Very-High- Frequency Microplasma Jet at Atmospheric Pressure
在大气压下利用甚高频微等离子体射流实现非晶硅的快速再结晶
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
Jpn. J. Appl. Phys. 45
影响因子:
--
作者:
[M.Yeo, Y.Sakurai, T.Kobayashi, H.Shirai]
通讯作者:
H.Shirai
Synthesis of Novel p-type Nanocrystalline Silicon from SiH_2Cl_2 and SiCl_4 by Rf Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
射频等离子体增强化学气相沉积法从SiH_2Cl_2和SiCl_4合成新型p型纳米晶硅
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
J. Non-Cryst. Solids 506-507
影响因子:
--
作者:
[Y.Li, Y.Ikeda, Y.Toyoshima, H.Shirai]
通讯作者:
H.Shirai
Effects of Substrate Bias on High-Rate Synthesis of Microcrystalline Silicon Films Using a High-Density Microwave SiH_4/H_2 Plasm
衬底偏压对高密度微波SiH_4/H_2等离子体高速合成微晶硅薄膜的影响
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
J. Phys. D : Appl. Phys. 39
影响因子:
--
作者:
[H.Jia, J.K.Saha, N.Ohse, H.Shirai]
通讯作者:
H.Shirai
共 11 条
Crystalline Si/perobskite triple junction solar cells by mist deposition
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批准号:20K05318
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2020
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负责人:白井 肇
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依托单位:
プラズマ溶液科学の創生
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批准号:19654087
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2007
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负责人:白井 肇
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依托单位:
大気圧プラズマジェットによる針状シリコン結晶の作製と成長機構の解明
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批准号:17656012
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:2005
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负责人:白井 肇
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依托单位:
マイクロプラズマによるシリコン・炭素系ナノ構造形成過程のその場観察
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批准号:16040203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2004
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负责人:白井 肇
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依托单位:
接続的圧力下の義歯床下組織における病理組織学的変化と義歯撤去時間との関連
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批准号:12771177
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:2000
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负责人:白井 肇
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依托单位:
化学組成変調によるシリコン系半導体薄膜のキャリア輸送特性 制御
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批准号:10123206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1998
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负责人:白井 肇
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依托单位:
化学組成変調によるシリコン系半導体薄膜のキャリア輸送特性の制御
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批准号:09229216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1997
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负责人:白井 肇
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依托单位:
咀嚼圧下の義歯床下粘膜上皮細胞の活性に対する糖尿病の影響
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批准号:08771783
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1996
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负责人:白井 肇
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依托单位:
化学組成変調によるシリコン系半導体薄膜のキャリア輸送特性の制御
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批准号:08243216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1996
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负责人:白井 肇
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依托单位:
シリコン(Si)の低温選択成長技術の開発
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批准号:02750009
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1990
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负责人:白井 肇
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依托单位: