ナノリンク分子の高バイアス不安定性の研究

纳米链分子高偏压不稳定性研究

• 批准号: 18041008
• 负责人: 酒井 明
• 金额: $ 2.62万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18041008/
• 关键词: 単分子接合; 高バイアス破断; 電流-電圧特性; ベンゼンジチオール(BDT); ビピリジン(BPY); 機械制御破断接合(MCBJ); ナノリンク分子; MCBJ; BDT; コンダクタンス; 分子架橋

本研究は1個の分子を金属電極間に架橋させた「ナノリンク分子」を形成し,その高バイアス/高電流下における不安定化現象を実験的に考究するとともに,破断電圧/電流のデータベースを構築することを目的としている.平成19年度は18年度に行ったベンゼンジチオール(BDT)単分子架橋の実験をビピリジン(BPY)に拡張し,コンダクタンスやI-V特性,および破断,に関して以下の成果を得た.1.室温でMCBJの金電極にBPY単分子を架橋し,そのコンダクタンス測定を行った.BPYはBDTよりも安定な架橋を得る頻度が少なく,コンダクタンスヒストグラムもそれほど明瞭なピークを示さない.0.01GO付近にブロードなピークが観測され,この値は従来報告されているBPY単分子のコンダクタンスの実験値とほぼ一致していることから,この0.01GO状態がBPY単分子の架橋状態に対応していると推定される.2.接合が0.01GO状態に達した時に,接合状態を保持したままバイス電圧をスイープしてI-V測定を行った.I-V曲線はBDTのI-V曲線とは少し形状が異なり,3次関数では記述できない.またBDTの0.01GO状態の場合よりも低い電圧で電流が立ち上がる傾向を示している.3.首都大学東京の杉浦先生から試料を提供いただいて,数種類のポルフィリン分子のコンダクタンス測定を行った.コンダクタンスプラトーは時折観測されるもののヒストグラムに明瞭なピークを示すことはない.しかし(0.005〜0.02)GOの範囲に小さな構造が観察され,単分子コンダクタンスに対応している可能性がある.

This study focuses on the formation of a molecular metal electron interframe device and the formation of a high-temperature

项目成果

High-Bias Break of Sn Nanocontacts

Sn 纳米触点的高偏压断裂

• 发表时间: 2007
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 46
• 作者: M. Suzuki;他;K. Ohno;柳澤伸明・山田英治・西岡昭博・香田智則・池田進;Toru Kawakubo
• 通讯作者: Toru Kawakubo

AC impedance of multi-walled carbon nanotubes

多壁碳纳米管的交流阻抗

• 发表时间: 2007
• 期刊: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 5
• 作者: M.;Suzuki;K.;Nagai;S.;Kinoshita;K.;Nakajima;K.;Kimura;T.;Okano;K.;Sasakawa;K. Ohno;Makusu Tsutsui
• 通讯作者: Makusu Tsutsui

Bias-induced local heating in Au atom-sized contacts

• DOI: 10.1088/0957-4484/17/21/008
• 发表时间: 2006-11
• 期刊: Nanotechnology
• 影响因子: 3.5
• 作者: M. Tsutsui;S. Kurokawa;A. Sakai

Au/BDT/Au単分子接合の高バイアス破断

Au/BDT/Au单分子结的高偏压断裂

• 发表时间: 2007
• 作者: M. Suzuki;他;酒井 明
• 通讯作者: 酒井 明

Electrical breakdown of short multiwalled carbon nanotubes

• DOI: 10.1063/1.2364048
• 发表时间: 2006-11
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: M. Tsutsui;Yu-ki Taninouchi;S. Kurokawa;A. Sakai