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五層非対称結合量子井戸と光制御デバイスへの展開

五层非对称耦合量子阱及其在光控器件中的进展

基本信息

批准号：
19023003
负责人：
荒川太郎
金额：
$ 5.44万
依托单位：
Yokohama National University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2008
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は, 1.55ミクロン波長帯用にInGaAs/InAlAs材料系を用いた五層非対称結合量子井戸の作製技術(FACQW)を確立するとともに, その優れた電界誘起屈折率変化特性を実証することを目的とする.また, 光変調デバイスを試作し, 超高速光制御デバイスへの応用可能性を示す.平成20年度は, 以下の成果が得られた.I. InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の変調特性改善 :(1) 多重FACQWをコア層とするY分岐を有するMZ光変調器を作製した。位相変調部長は500ミクロンである。DC変調特性を測定したところ、半波長電圧をVpi、位相変調部長をLとして、Vpi・L=1.2Vmm、変調効率157°/mm/V、消光比19.5dBと、消光比を除き、昨年度の結果(Vpi・L=3.6Vmm、変調効率97°/mm/V、消光比30dB)を上回る良好な特性を達成した。(2) 従来の特性をさらに改善すべくFACQW構造の改良を行った。その結果、基礎吸収端をより短波長側にシフトさせつつ、大きな屈折率変化特性が得られる構造を見いだした。2. GaInNAs FACQW構造め提案1.3ミクロン帯光制御デバイスの実現を目的として、GaInNAs系材料を用いたFACQWの構造設計を行った。その結果、屈折率変化が生じる電界領域は狭いものの、InGaAs/InAIAs FACQWと同等の電界誘起屈折率変化特性が得られることがわかった。これは、例えば、位相変調部長1mmのマッハ・ツェンダー変調器を作製した場合、動作電圧は0.1〜0.2Vまで低減できることを示している。

In this study, 1.55 kHz InGaAs/InAlAs materials are used in combination with quantum well mechanical technology (FACQW) to ensure that the thermal conductivity is reduced in the field of electrical engineering. The ultra-high-speed optical system is designed to show the possibility of use. In the year of Pingcheng 20, the following achievements have been successfully obtained. I. InGaAs/InAlAs five-dimensional combination of quantum well performance improvement: (1) the characteristics of multiple FACQW optical devices are improved: (1) there are multiple MZ optical bifurcations. The length of the phase is 500 years. The DC characteristic tests show that the good performance is good in the last year's results (Vpi L = 3.6Vmm, 97 °/ mm/V, 30dB). The results of last year's results (Vpi L = 3.6Vmm, 97 °/ mm/V, extinction ratio 30dB) show good performance. (2) to improve the characteristics of the FACQW. According to the results of the experiment, the characteristics of the short-wave long-wave transmission at the end of the base suction and the reduction rate of the large temperature are obtained. 2. The proposal of GaInNAs FACQW system is 1.3. The optical control system is designed to realize the purpose, and the GaInNAs materials are designed to be designed using the FACQW system. The results and the discount rate show that there is a significant difference in the characteristics of the discount rate in the field of medical electronics and the equivalent of InGaAs/InAIAs FACQW in the field of electrical engineering. The director of the department of 1mm, example, and phase equipment is responsible for the operation of the equipment, and the low voltage generator of 0.1 ~ 0.2 V is used to show the performance of the machine.