シリコンの酸化によるナノドットアレイの形成とその論理機能選択デバイス応用

硅氧化形成纳米点阵列及其在逻辑功能选择器件中的应用

基本信息

  • 批准号:
    20035001
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.46万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

将来の高度な情報処理には、高密度集積化されたシリコン集積回路が不可欠であるが、同時に省電力化も図られなければならない。その際、微細化に伴うサイズ揺らぎによる特性の揺らぎが大きな問題となる。これを解決するため、多数のSiナノドットを用いて揺らぎの効果を緩和し、多数のドットを用いたことによる面積拡大をドット間の単電子伝導を利用した高機能化で、省エネ化と併せて補う方式を検討した。加えて、ナノドットを連結させることにより、電子間の相互作用を強めることが可能な構造作成法を実証し、単電子転送という、基本的な特性を示した。1. 多入力・多出力Siナノドットアレイデバイスの作製と評価ナノドットアレイデバイスの特徴は、多数の入力ゲートと多数の出力端子を有し、高い機能を1個のデバイスで実現できることである。複雑な機能を実現できる上に、その機能をゲート電圧で可変であるという、他の素子にはできない機能を持つが、逆に機能の選択性が高すぎて、機能を推定するのが難しくなるという問題がある。これを解決するために、本年度は、スイッチング機能をマッピングする手法を立ち上げ、実際に、もっとも機能が出にくい単純なドットアレイを用いても半加算器とその他の論理機能を切り替えて使えることを容易に判定できることを示した。2. 連結島単電子トランジスタ将来の究極の省エネデバイスを念頭に、単電子転送や量子コンピューティングが可能となる連結島単電子デバイス実現のため、効率的な連結島の作成法を検討した。Si細線の取付け部の構造を工夫することで、自動的に島が連結した構造を実現できることを示し、時際に3連結島を持つ単電子トランジスタを実現し、これを用いて単電子転送デバイスである単電子ターンスタイルの動作を示すことに成功した。
In the future, high-density integrated circuits will be used to reduce power consumption. In addition, it is necessary to improve the quality of the products. The solution is to reduce the cost of the equipment, reduce the cost of the equipment and improve the efficiency of the equipment. Add the link, the interaction between electrons, the possible structure method, the electron transmission, the basic characteristics. 1. The characteristics of multi-input and multi-output terminals are: 1 input terminal, 1 output terminal, and 1 output terminal. The complex function is realized in the upper part, the function is determined in the middle part, the function is determined in the reverse part, and the function is determined in the middle part. This year's game is easy to determine. 2. A discussion of how to create a link island with high efficiency and low cost in the future. Si thin wire pick up part structure time, automatic island link structure implementation, time, 3 link island hold single electronic drive, implementation, use electronic drive single electronic drive operation successfully.

项目成果

期刊论文数量(79)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Nio薄膜のRe-RAM特性に対する熱酸化温度依存性
Nio 薄膜 Re-RAM 特性的热氧化温度依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Ohya;K. Nagahama;T. Ouchi;大矢裕一;大矢裕一;大矢裕一;藤井孝史;近藤洋史;梶宏道;曹民圭;開澤拓弥;開澤拓弥;曹民圭;C. K. Lee;Neil M. Zimmerman;小野行徳;有田正志;有田正志;有田正志;有田正志;西口克彦;藤井孝史;高橋庸夫;川西敬仁;加藤勇樹;曹民圭;加藤勇樹;梶宏道;高橋庸夫;有田正志;高橋庸夫;工藤昌輝;曹民圭;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;曹民圭;高橋庸夫;曹民圭;藤井孝史;曹民圭;徳田良平;工藤昌輝;曹民圭;藤井孝史;曹民圭;藤井孝史;徳田良平;曹民圭;高橋庸夫;曹民圭;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;徳田良平;有田正志;藤井孝史;高橋庸夫;曹民圭;梶宏道;若杉恭平;木下恭一;曹民圭;雨宮好仁;曹民圭;梶宏道;若杉恭平;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史
  • 通讯作者:
    近藤洋史
パーマロイ薄膜における磁壁移動と縦磁気抵抗効果
坡莫合金薄膜中的畴壁位移和纵向磁阻效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Ohya;K. Nagahama;T. Ouchi;大矢裕一;大矢裕一;大矢裕一;藤井孝史;近藤洋史;梶宏道;曹民圭;開澤拓弥;開澤拓弥;曹民圭;C. K. Lee;Neil M. Zimmerman;小野行徳;有田正志;有田正志;有田正志;有田正志;西口克彦;藤井孝史;高橋庸夫;川西敬仁;加藤勇樹;曹民圭;加藤勇樹;梶宏道;高橋庸夫;有田正志;高橋庸夫;工藤昌輝;曹民圭;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;曹民圭;高橋庸夫;曹民圭;藤井孝史;曹民圭;徳田良平;工藤昌輝;曹民圭;藤井孝史;曹民圭;藤井孝史;徳田良平;曹民圭;高橋庸夫;曹民圭;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;徳田良平;有田正志;藤井孝史;高橋庸夫;曹民圭;梶宏道;若杉恭平;木下恭一;曹民圭;雨宮好仁;曹民圭;梶宏道;若杉恭平;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;若杉恭平;曹民圭;曹民圭;有田正志;開澤拓弥;高橋庸夫;笹川芳晃;近藤洋史;曹民圭;藤井孝史;近藤洋史;笹川芳晃
  • 通讯作者:
    笹川芳晃
Fabrication method for triple-coupled dots based on pattern-dependent oxidation
基于图案依赖氧化的三重耦合点的制备方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Ohya;K. Nagahama;T. Ouchi;大矢裕一;大矢裕一;大矢裕一;藤井孝史;近藤洋史;梶宏道;曹民圭;開澤拓弥;開澤拓弥;曹民圭;C. K. Lee;Neil M. Zimmerman;小野行徳;有田正志;有田正志;有田正志;有田正志;西口克彦;藤井孝史;高橋庸夫
  • 通讯作者:
    高橋庸夫
TEM内電気伝導計測のための特殊ホルダー開発とその応用
TEM电导测量专用支架的研制及其应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Ohya;K. Nagahama;T. Ouchi;大矢裕一;大矢裕一;大矢裕一;藤井孝史;近藤洋史;梶宏道;曹民圭;開澤拓弥;開澤拓弥;曹民圭;C. K. Lee;Neil M. Zimmerman;小野行徳;有田正志;有田正志;有田正志;有田正志;西口克彦;藤井孝史;高橋庸夫;川西敬仁;加藤勇樹;曹民圭;加藤勇樹;梶宏道;高橋庸夫;有田正志
  • 通讯作者:
    有田正志
ReRAM応用に向けたNiO薄膜の熱酸化温度とフォーミング電圧の関係
ReRAM应用NiO薄膜热氧化温度与形成电压的关系
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Ohya;K. Nagahama;T. Ouchi;大矢裕一;大矢裕一;大矢裕一;藤井孝史;近藤洋史;梶宏道;曹民圭;開澤拓弥;開澤拓弥;曹民圭;C. K. Lee;Neil M. Zimmerman;小野行徳;有田正志;有田正志;有田正志;有田正志;西口克彦;藤井孝史;高橋庸夫;川西敬仁;加藤勇樹;曹民圭;加藤勇樹;梶宏道;高橋庸夫;有田正志;高橋庸夫;工藤昌輝;曹民圭;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史;曹民圭;高橋庸夫;曹民圭;藤井孝史;曹民圭;徳田良平;工藤昌輝;曹民圭;藤井孝史;曹民圭;藤井孝史;徳田良平;曹民圭;高橋庸夫;曹民圭;藤井孝史;梶宏道;近藤洋史
  • 通讯作者:
    近藤洋史
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    2018
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    瘧師 貴幸;浅井 佑基;福地 厚;有田 正志;高橋 庸夫
  • 通讯作者:
    高橋 庸夫
Deep neural models for robot manipulation based on predictive learning
基于预测学习的机器人操纵深度神经模型
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    李 遠霖;勝村 玲音;Mika Kristian Gr?nroos;福地 厚;有田 正志;高橋 庸夫;安藤秀幸;森江 隆;上田竜平・柳澤邦昭・蘆田宏・阿部修士.;Tetsuya Ogata
  • 通讯作者:
    Tetsuya Ogata
Feナノドットアレイの電気伝導特性の下地層依存性
Fe 纳米点阵列电导率特性的底层依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    谷澤 涼太;天野 郁馬;瘧師 貴幸;福地 厚;有田 正志;高橋 庸夫
  • 通讯作者:
    高橋 庸夫
VCMとECMに基づいたTa2O5-δ抵抗変化型メモリの初期特性と多値動作
基于VCM和ECM的Ta2O5-δ阻变存储器初始特性及多值运算
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    李 遠霖;福地 厚;有田 正志;高橋 庸夫;森江 隆
  • 通讯作者:
    森江 隆
Ta2O5ReRAMデバイスのパルスによる多値動作のばらつき評価
使用 Ta2O5ReRAM 器件中的脉冲评估多值操作的变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    有馬 克紀;李 遠霖;福地 厚;有田 正志;高橋 庸夫
  • 通讯作者:
    高橋 庸夫

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    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

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    $ 3.46万
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