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Development of spin-polarized light-emitting diodes with a ZnSe tunnel barrier

Development of spin-polarized light-emitting diodes with a ZnSe tunnel barrier
具有 ZnSe 隧道势垒的自旋偏振发光二极管的开发
批准号：
20042011
负责人：
SAITO Hidekazu
金额：
$1.22万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20042011/
关键词：
半導体磁性体ヘテロ構造スピン注入エレクトロルミネッセンススピン依存発光金属絶縁体半導体接合トンネル磁気抵抗効果

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究では電子のスピン機能を利用して情報を記憶する新型トランジスタの実現に必要なトンネル障壁層材料の開発を行った。その結果、酸化ガリウム(GaOx)という新障壁層材料を見出した。主な成果は以下の通りである。1) 金属/絶縁体/半導体(MIS)型構造を有するFe/GaOx/Ga1-xMnxAsトンネル磁気抵抗(TMR)素子を作製し、MIS型素子では世界最高性能(磁気抵抗変化率58%)を達成した。2) Fe/GaOx/n-AlGaAs MIS型トンネル素子において、GaOxの有効バリア高さが極めて低い(室温で0.10 eV)ことを明らかにした。
英文摘要
本研究では電子のスピン機能を利用して情報を記憶する新型トランジスタの実現に必要なトンネル障壁層材料の開発を行った。その結果、酸化ガリウム(GaOx)という新障壁層材料を見出した。主な成果は以下の通りである。1) 金属/絶縁体/半導体(MIS)型構造を有するFe/GaOx/Ga1-xMnxAsトンネル磁気抵抗(TMR)素子を作製し、MIS型素子では世界最高性能(磁気抵抗変化率58%)を達成した。2) Fe/GaOx/n-AlGaAs MIS型トンネル素子において、GaOxの有効バリア高さが極めて低い(室温で0.10 eV)ことを明らかにした。
期刊论文(4)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
金属/半導体複合素子におけるスピン依存伝導
金属/半导体复合器件中的自旋相关传导
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [齋藤秀和, 湯浅新治, 安藤功兒]
通讯作者： 安藤功兒
Tunneling magnetoresistance in Fe/GaO/GaMnAs magnetic tunnel diodes
Fe/GaO/GaMnAs 磁隧道二极管中的隧道磁阻
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Saito, S. Yuasa, K. Ando]
通讯作者： K. Ando
High tunneling magnetoresistance in Fe/GaO/GaMnAs with metal/insulator/semiconductor structure
金属/绝缘体/半导体结构的 Fe/GaO/GaMnAs 中的高隧道磁阻
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Applied Physics Letter 93
影响因子： --
作者： [H. Saito, A. Yamamoto, S. Yuasa, K. Ando]
通讯作者： K. Ando
Tunneling magnetoresistance in Fe/GaOx/Ga1-xMnxAs magnetic tunnel diodes
Fe/GaOx/Ga1-xMnxAs 磁隧道二极管中的隧道磁阻
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Saito, A. Yamamoto, S. Yuasa, and K. Ando]
通讯作者： and K. Ando
Study of factors regulating the development of follicles, oocytes and embryos
  • 批准号：
    12671576
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.24万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    SAITO Hidekazu
  • 依托单位：
    Yamagata University
Assessment of ovarian fecundity in terms of telomere length and telomerase activity.
  • 批准号：
    09671662
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    SAITO Hidekazu
  • 依托单位：
    Yamagata University
国内基金
海外基金
生物基纳米复合磁性体半互穿网络的构建及其重金属离子的智能捕捉与释放机制研究
载流导体及磁性体构成的系统的磁场的分析计算方法
  • 批准号：
    58770302
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    4.0万元
  • 批准年份：
    1987
  • 负责人：
    冯之鑫
  • 依托单位：
    中国科学院电工研究所