Development of spin-polarized light-emitting diodes with a ZnSe tunnel barrier

具有 ZnSe 隧道势垒的自旋偏振发光二极管的开发

• 批准号: 20042011
• 负责人: SAITO Hidekazu
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20042011/
• 关键词: 半導体; 磁性体; ヘテロ構造; スピン注入; エレクトロルミネッセンス; スピン依存発光; 金属; 絶縁体; 半導体接合; トンネル磁気抵抗効果

本研究では電子のスピン機能を利用して情報を記憶する新型トランジスタの実現に必要なトンネル障壁層材料の開発を行った。その結果、酸化ガリウム(GaOx)という新障壁層材料を見出した。主な成果は以下の通りである。1) 金属/絶縁体/半導体(MIS)型構造を有するFe/GaOx/Ga1-xMnxAsトンネル磁気抵抗(TMR)素子を作製し、MIS型素子では世界最高性能(磁気抵抗変化率58%)を達成した。2) Fe/GaOx/n-AlGaAs MIS型トンネル素子において、GaOxの有効バリア高さが極めて低い(室温で0.10 eV)ことを明らかにした。

In this paper, the development of barrier materials necessary for the realization of new types of electronic devices is studied. As a result, the new barrier layer material was found in the acid solution. The main achievement is to pass through the following. 1)The metal/insulator/semiconductor (MIS) type structure has Fe/GaOx/Ga1-xMnxAs and the MIS type element has the highest performance in the world (magnetic resistance conversion rate of 58%). 2)Fe/GaOx/n-AlGaAs MIS-type dopants are highly reactive and GaOx has a low temperature (0.10 eV at room temperature).

项目成果

金属/半導体複合素子におけるスピン依存伝導

金属/半导体复合器件中的自旋相关传导

• 发表时间: 2008
• 作者: 齋藤秀和;湯浅新治;安藤功兒
• 通讯作者: 安藤功兒

Tunneling magnetoresistance in Fe/GaO/GaMnAs magnetic tunnel diodes

Fe/GaO/GaMnAs 磁隧道二极管中的隧道磁阻

• 发表时间: 2008
• 作者: H. Saito;S. Yuasa;K. Ando
• 通讯作者: K. Ando

High tunneling magnetoresistance in Fe/GaO/GaMnAs with metal/insulator/semiconductor structure

金属/绝缘体/半导体结构的 Fe/GaO/GaMnAs 中的高隧道磁阻

• 发表时间: 2008
• 期刊: Applied Physics Letter 93
• 作者: H. Saito;A. Yamamoto;S. Yuasa;K. Ando
• 通讯作者: K. Ando

Tunneling magnetoresistance in Fe/GaOx/Ga1-xMnxAs magnetic tunnel diodes

Fe/GaOx/Ga1-xMnxAs 磁隧道二极管中的隧道磁阻

• 发表时间: 2008
• 作者: H. Saito;A. Yamamoto;S. Yuasa;and K. Ando
• 通讯作者: and K. Ando