蒸気圧制御によるP形セレン化亜鉛の気相エピタキシャル成長

采用蒸气压控制的 P 型硒化锌气相外延生长

基本信息

  • 批准号:
    63604509
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.28万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1988
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1988 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1.開管法:(1)前年度、ZnとSeを原料とした水素輸送法により、PをドープしたZnSeをGaAS基板上に気相成長させて、P形が得られることを報告した。その後の実験により、P形を得るためにはPのほかにLiが必要であることが判明した。P形ZnSeは予めLiをP用の石英ボートに含ませておくか、Seに数%混合させ、Zn過剰の状態で基板温度が450〜500℃のときに得られた。PまたはLiを単独にドープするときは高抵抗率であった。(2)ダブルドープ条件を検討するために、Pのみをドープした膜を作成し、それにLiを拡散させる実験を行なった。Pのみをドープした場合、Tp=150〜330℃に対して、Tp=240℃以下でエピ成長をした。PLはTp=150℃でもバンド端発光がアンドープ膜の場合と異なっており、低温のTpでもかなりのPがドープされている。この膜にLiを拡散した場合は実験中である。2.閉管法:(1)前年度に引き続きZnSeの輸送速度の封入ガス圧依存性を調べた。本年度はAr(10^<-3>〜50Torr)とH_2(10^<-3>〜3Torr)による違いを調べた。Arの場合、0.5Torr以下ではほぼ一定の輸送速度であり、0.5〜50TorrではAr圧の-0.5剰で減少するのに対し、H_2の場合、-0.2剰(0.02〜1Torr)と-1剰(1〜3Torr)で減少する。輸送の機構の詳細については不明であるが、H_2の場合、ZnSeとの反応が関係していると考えられる。(2)気相成長で育成したバルクのZnSe単結晶にPを拡散させた(515℃)。PLにおいて500nm付近に新たな発光が観測された。このピークはZn雰囲気、Se雰囲気および真空中の熱処理によっては観測されない。3.今後の計画:(1)開管法;P-Liのダブルドープの最適条件を検討しPn接合を形成する。青色発光ダイオードについて検討する。(2)閉管法:封入ガス圧に対して育成単結晶の特性を評価する。アクセプタ不純物のドープ条件について実験検討する。
1. Open tube method: (1) the year before, with recent と Se を materials と し た water conveying method に よ り, P を ド ー プ し た ZnSe を GaAS substrate に 気 phase growth さ せ て, P form が ら れ る こ と を report し た. After そ の の be 験 に よ り, P form を る た め に は P の ほ か に Li が necessary で あ る こ と が.at し た. P form ZnSe は to め Li を P with の quartz ボ ー ト に containing ま せ て お く か, Se に % mixed さ せ, zinc turning の state が で substrate temperature 450 ~ 500 ℃ の と き に must ら れ た. Pまた また Liを単 has a high resistance rate であった. (2) ダ ブ ル ド ー プ conditions を beg す 検 る た め に, P の み を ド ー プ し た membrane を し, consummate そ れ に Li を company, scattered さ せ る be 験 を line な っ た. P <s:1> みをド プ プ た た in た situations, Tp=150-330℃に against て, Tp=240℃ and below でエピ growth を た た. PL は Tp = 150 ℃ で も バ ン ド end 発 light が ア ン ド ー プ membrane の occasions と different な っ て お り, low temperature の Tp で も か な り の P が ド ー プ さ れ て い る. Youdaoplaceholder5 <s:1> membrane にLiを拡 dispersion た situation である experiment である. 2. Closed-tube method :(1) In the previous year, に is used to seal in the ガス dependent を adjustment べた. This year は Ar (10 ^ < - > 3 ~ 50 torr) と H_2 (10 ^ < - > 3 ~ 3 torr) に よ る) い を adjustable べ た. Ar の occasions で below 0.5 Torr は ほ ぼ some の transmission speed で あ り, 0.5 ~ 50 Torr で は Ar 圧 の 0.5 turning で reduce す る の に し seaborne, H_2 の occasions, 0.2 turning turning (0.02 ~ 1 Torr) と - 1 (1 ~ 3 Torr) で reduce す る. The detailed information of the conveying <s:1> mechanism <e:1> is に, に て, て, であるが, the H_2 situation, and the anti-応 が relationship of ZnSeと ると is studied at えられる て ると ると. (2) Gas phase growth で leads to the formation of で たバ たバ <s:1> ZnSe単 crystals にPを拡 dispersion させた(515℃). PLにお にお て500nm close に new たな emission が観 measurement された. <s:1> ピ ピ ピ <s:1> <s:1> 囲 Zn atmosphere 囲, Se atmosphere 囲 および <s:1> thermal treatment によって 観 観 観 観 観 measurement されな されな in a および vacuum. 3. Future plans :(1) Pipe opening method; P-Li <s:1> ダブ ド ド プ プ <s:1> the most suitable condition を検 for the <s:1> Pn junction を to form する. Cyan luminescent ダ する ドに ドに ドに て検 て検 する. (2) Closed tube method: Sealing with ガス pressure に to evaluate the <s:1> characteristics of the 単 crystals formed by て を. Youdaoplaceholder0 セプタ セプタ impurity ド ド プ プ conditions に プ て て て て て experiment 検 seek する.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

村野井 徹夫其他文献

村野井 徹夫的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('村野井 徹夫', 18)}}的其他基金

セレン化亜鉛の気相エピタキシャル成長によるpn接合と青色発光ダイオード
硒化锌气相外延生长PN结及蓝光发光二极管
  • 批准号:
    04205014
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
セレン化亜鉛の気相エピタキシャル成長によるpn接合と青色発光ダイオ-ド
硒化锌气相外延生长PN结及蓝光发光二极管
  • 批准号:
    03205013
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
セレン化亜鉛の気相エピタキシャル成長によるpn接合と青色発光ダイオ-ド
硒化锌气相外延生长PN结及蓝光发光二极管
  • 批准号:
    02205015
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
蒸気圧制御によるP形セレン化亜鉛の気相エピタキシャル成長
采用蒸气压控制的 P 型硒化锌气相外延生长
  • 批准号:
    01604513
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
蒸気圧制御によるP形セレン化亜鉛の気相エピタタキシャル成長
采用蒸气压控制的 P 型硒化锌气相外延生长
  • 批准号:
    62604515
  • 财政年份:
    1987
  • 资助金额:
    $ 1.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了