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セレン化亜鉛の気相エピタキシャル成長によるpn接合と青色発光ダイオ-ド

硒化锌气相外延生长PN结及蓝光发光二极管

基本信息

批准号：
03205013
负责人：
村野井徹夫
金额：
$ 1.09万
依托单位：
Ibaraki University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.前年度までにZn及びSe単体を原料にして水素輸送法によりZnSeを成長させると同時に、P及びLiのコ・ド-ピングによってGaAs基板上に低抵抗率のp形ZnSeが成長できることとpn接合による発光ダイオ-ドについて報告した。しかし、試作ダイオ-ドは必ずしも良好な特性を示すに至っていない。良好なpn接合を得るためにはn層の導電率を高くすること、p層の不純物の再分布を抑制する必要がある。このためには、p層の成長温度(450℃)以下でのホモエピタキシャル成長温度とドナ-不純物のド-プ条件を明きらかにする必要がある。そこで、今年度はエピタキシャル成長に対する塩化水素(HCl)ガスエッチングの効果と沃化メチル(CH_3I)を用いて沃素のド-ピングについて検討した。(1)HClによるエッチングの結果、ホモエピタキシについては250℃以上、GaAs基板に対するヘテロエピタキシについては200℃以上のHCl中熱処理により350℃でのエピタキシャル成長が可能であることを明きらかにした。ヘテロエピの場合HClガスエッチング後、真空排気してから成長させた場合でも従成のアンド-プの時よりもキャリア濃度が約1桁高く、SIMS分析の結果Clが約10^<17>cm^<-3>含まれている。フォトルミネッセンス(PL)によると中性ドナ-に束縛された励起子線I_Xが観測された。I_Xとキャリア濃度の増加はClによる可能性がある。(2)妖素ド-ピングの結果、最低の流量においてもPLはSA発光等の深い準位によるものが支配的であり、抵抗率も高い。沃素が高濃度にド-プされていると考えられる。2.電子ビ-ム蒸着と抵抗加熱を併用し、ZnSeとZnの同時蒸着を試みた。RHEEDによるとストリ-ク状の回析パタ-ンを示すが、電気的光学的特性はまだ十分な検討ができていない。

1. In the past year, Zn and Se monomers have been used as raw materials for ZnSe growth by elemental transport method, and p-ZnSe with low resistivity has been grown on GaAs substrates by pn bonding method. Try to keep your eyes open until you have good characteristics. Good pn bonding is necessary to increase the conductivity of the n-layer and to suppress the redistribution of impurities in the p-layer. The growth temperature of the p-layer (450℃) or lower is necessary for the growth temperature of the p-layer. This year, the growth of chemical elements (HCl) and the effects of chemical elements (CH_3I) are discussed. (1) HC1 heat treatment results, heat treatment temperature above 250℃, GaAs substrate heat treatment temperature above 200 ℃, HC1 heat treatment temperature above 350℃, heat treatment temperature above 250 ℃, GaAs substrate heat The concentration of HCl was about 10 ^ cm, and the concentration of Cl was about 10^ cm, which was the result of SIMS analysis<17><-3>. The first line of excitation is I_X, which is measured by the neutral line. I_X concentration increase Cl (2)The results of the test, the lowest flow rate, the highest resistance rate, the lowest PL, the highest SA emission level, the highest resistance rate, the lowest PL emission level, the highest SA emission level, the lowest PL emission level, the highest SA emission level, the lowest PL emission level, the highest SA emission level, the highest SA emission level, the lowest PL emission level, the lowest SA emission level, the highest SA emission level, the lowest PL emission level, the lowest SA emission level, the lowest PL emission level, the lowest SA emission level, the lowest PL emission level, the lowest PL emission level, the lowest SA emission level, the lowest PL emission level, the highest resistance level, the lowest PL emission level, the lowest PL emission level, the lowest PL emission High concentrations of vitamin C. 2. The electron vapor is heated and combined with ZnSe and Zn. The optical properties of RHEED are discussed in detail.