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セレン化亜鉛の気相エピタキシャル成長によるpn接合と青色発光ダイオード

硒化锌气相外延生长PN结及蓝光发光二极管

基本信息

批准号：
04205014
负责人：
村野井徹夫
金额：
$ 1.09万
依托单位：
Ibaraki University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は、通常p形伝導を得ることが困難なZnSeの良質なpn接合を作成することにより、発光効率と輝度の高い青色発ダイオードを作成することを目的とする。これまでに、Zn及びSe単体を原料にして水素輸送法によりZnSeを成長させると同時に、PおよびLiのコ・ドーピングによってGaAs基板上の低抵抗率のp形ZnSeが成長できることを報告した。またp形ZnSe上にアンドープ膜を成長させることによりpn接合を形成し、発光ダイオードを試作したが、試作ダイオードは必ずしも良好な特性を示すに至っていない。良好なpn接合を得るためにはn層の導電率を高くすることと、p層の不純物の再分布を抑制する必要がある。今年度は、ヨウ化メチル(CH_3I)を用いて、ヨウ素を添加することにより、n領域の導電率を制御した。成長温度350℃においてCH_3Iの供給量が0.025μmolmin^<-1>以上ではエピタキシャル成長させることができなかった。0.016μmolmin^<-1>のとき抵抗率は大きく、0.021μmolmin^<-1>のとき導通しなかった。0.0021〜0.016μ7olmin^<-1>のとき電子濃度5×10^<16>〜7×10^<17>cm^<-3>で制御してエピタキシャル成長させることができた。PL特性は、CH_3Iの供給量が少ない時SA発光のほとんどない高品質の膜である。青色LEDを作成する時は、CH_3Iの供給量を2段階に変化させ、電気的・光学的に満足すベきZnSe膜が得られることをSIMにより確認した。300℃においては10^<18>cm^<-3>台の電子濃度が得られた。このことは、p層の不純物の再分布を抑制するたれに有効と思われる。閉活法によるZnSe単結晶育成のために、ZnSe輸送量の封入ガス圧依存生を本研究でデータの少なかった高圧領域(100Torrまで)で調べた。Ar、He、H_2について非常に異なった依存生を示した。

In this study, the p-shaped guide is usually used to improve the quality of the ZnSe, to make the pn joint, to make the light intensity, to make the color blue, to make the purpose. The method of water transfer for raw materials of raw materials such as Li, Zn and Se is very important for the growth of ZnSe. At the same time, there is a high rate of low resistance on the substrate of ZnSe. On the p-shaped ZnSe, the growth of the film, the growth of the pn joint, the growth of the film, the formation of the joint, the growth of the film, the formation of the joint, the growth of the film, the formation of the joint, the growth of the film, the growth of the film, the formation of the joint. Good pn bonding results in high power consumption, high temperature, high temperature This year, the chemical industry (CH_3I) is used to control the production of electricity and electricity in the field. The temperature of growth is 350 ℃ and the supply of CH3I is 0.025 μ mol min ^ & lt;-1> and above. The resistance rate of 0.016 μ molmin ^ & lt;-1> was higher than that of 0.021 μ molmin ^ & lt;-1>. 0.0021 ~ 0.016 μ 7 olmin ^ & lt;-1> electric power 5 × 10 ^ & lt;16>~7 × 10 ^ & lt;17> cm^ & lt;-3> controls the growth and growth of the electric power system. PL characteristics, CH_3I supply is very low, when the SA light consumption is very high, the quality of the film is high. The cyan LED is used as a battery, the CH_3I supply is used in two stages, and the optical system of the electronics is used to determine the performance of the ZnSe film. The performance of the SIM film is confirmed by the transmission SIM. At 300 ℃, the temperature of 10 ^ & lt;18> cm ^ & lt;-3> is very good. There is a reason for the redistribution of the object, such as the inhibition, the redistribution, the suppression, the redistribution, the suppression, the redistribution, the inhibition, the redistribution, the redistribution, the suppression, the redistribution, the redistribution. The method of living, the quantity of ZnSe, the quantity of ZnSe, and the quantity of ZnSe are sealed according to the existence of students in this study. In this study, there are fewer students in the field of 100Torr. Ar, He, Happy 2 are very sensitive and dependent on the students.