マイクロ波放電フロー中の反応過程

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フローイングアフターグロー法を用いて、CN、SiNおよびCPの発光スペクトルを観測した。CNの場合は、希ガスフローの上流でマイクロ波放電により希ガス準安定励起原子を作り、下流でCN化合物を加えた。Sin、CPの場合は、それぞれ、希ガスで希釈したN_2/SiCl_4、PCl_3/CH_2Cl_2をマイクロ波放電して生成した。また気化しにくい物質を導入する手段としてスプレーを用いた。スプレー装置は、市販の液体クロマトグラフの液送ポンプに自作のスプレーヘッドを取り付けた。アルゴン準安定励起原子とBrCNとの反応で生成する電子励起CNラジカルのうち、"dark State"である^4【.ct.】状態の生成速度を求めた。B^2Σ^+状態と回転摂動を起こしている^4【.ct.】状態のV=7、12の生成速度は対応するB^2Σ^+状態V=14、17の、それぞれ2.4、1.9倍であった。これから求められた^4【.ct.】状態の振動分布は統計的に期待される分布よりもかなり低くなった。SiNのB^2Σ^+発光のいくつかの振動バンドを選ぶと、核間距離にして1.1-1.8A^^°の範囲で電子遷移モーメントを求めることができた。電子遷移発光強度から発光種の内部状態分布を見積るときには、R-セントロイド近似を用いることが普通であるが、本研究の結果、Sinについては、核間距離が1.5A^^°以下ではR-セントロイド近似がよくないことがわかった。CPでは、B^2Σ^+状態のV=0に回転摂動が現れることが知られていたが、今回、(0.0)バンドの強度を測定して、この摂動を確認することができた。スプレー装置については、タイプの異なるヘッドをいくつか試作して、現在その性能を評価しているところである。