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Optical properties of (Al,In,Ga)N-based semiconductors studied by spectroscopy under various perturbation fields

不同扰动场下光谱研究(Al,In,Ga)N基半导体的光学性质

基本信息

批准号：
15K17460
负责人：
Ishii Ryota
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（11）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

一軸性応力下におけるダイヤモンドの微分吸収スペクトル

单轴应力下金刚石的微分吸收光谱

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
石井良太;鹿田真一;船戸充;川上養一
通讯作者：
川上養一

多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン産卵分光

采用多波长激发发射分离法的 InGaN 薄膜拉曼生成光谱

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
信学技報
影响因子：
0
作者：
Ishizaki Kenji;Motohira Akito;De Zoysa Menaka;Tanaka Yoshinori;Umeda Takami;Noda Susumu;石戸亮祐，石井良太，船戸充，川上養一
通讯作者：
石戸亮祐，石井良太，船戸充，川上養一

過渡レンズ法を用いたGaN基板と薄膜における非輻射再結合過程の評価

使用瞬态透镜法评估 GaN 衬底和薄膜中的非辐射复合过程

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
塚本真大;石井良太;船戸充;川上養一
通讯作者：
川上養一

単結晶ダイヤモンドの応力下分光

单晶金刚石的应力谱

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ryota Ishii;Mitsuru Funato;and Yoichi kawakami;石井良太，鹿田真一，船戸充，川上養一
通讯作者：
石井良太，鹿田真一，船戸充，川上養一

近接場過渡レンズ法によるInGaN単一量子井戸におけるキャリアダイナミクスの評価

使用近场瞬态透镜方法评估 InGaN 单量子阱中的载流子动力学

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
塚本真大;石井良太;船戸充;川上養一
通讯作者：
川上養一

DOI：
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作者：
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Ishii Ryota其他文献

Intrinsic exciton transitions of isotopically purified 13C studied by photoluminescence and transmission spectroscopy

通过光致发光和透射光谱研究同位素纯化的 13C 的本征激子跃迁

DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
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影响因子：
1.5
作者：
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通讯作者：
Kawakami Yoichi

Effect of Covariate Omission in Randomised Controlled Trials: A Review and Simulation Study

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期刊：
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通讯作者：
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发表时间：
2020
期刊：
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影响因子：
2
作者：
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通讯作者：
Gosho Masahiko

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DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
Nishiaki Yoshihiro

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极低动量跃迁区电子弹性散射精确测定质子电荷半径

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ishii Ryota;Shikata Shinichi;Teraji Tokuyuki;Kanda Hisao;Watanabe Hideyuki;Funato Mitsuru;Kawakami Yoichi;Jungsic Park;須田利美
通讯作者：
須田利美