Optical properties of (Al,In,Ga)N-based semiconductors studied by spectroscopy under various perturbation fields

不同扰动场下光谱研究(Al,In,Ga)N基半导体的光学性质

基本信息

  • 批准号:
    15K17460
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(11)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
一軸性応力下におけるダイヤモンドの微分吸収スペクトル
单轴应力下金刚石的微分吸收光谱
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石井良太;鹿田真一;船戸充;川上養一
  • 通讯作者:
    川上養一
多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン産卵分光
采用多波长激发发射分离法的 InGaN 薄膜拉曼生成光谱
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ishizaki Kenji;Motohira Akito;De Zoysa Menaka;Tanaka Yoshinori;Umeda Takami;Noda Susumu;石戸亮祐,石井良太,船戸充,川上養一
  • 通讯作者:
    石戸亮祐,石井良太,船戸充,川上養一
過渡レンズ法を用いたGaN基板と薄膜における非輻射再結合過程の評価
使用瞬态透镜法评估 GaN 衬底和薄膜中的非辐射复合过程
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    塚本真大;石井良太;船戸充;川上養一
  • 通讯作者:
    川上養一
単結晶ダイヤモンドの応力下分光
单晶金刚石的应​​力谱
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ryota Ishii;Mitsuru Funato;and Yoichi kawakami;石井良太,鹿田真一,船戸充,川上養一
  • 通讯作者:
    石井良太,鹿田真一,船戸充,川上養一
近接場過渡レンズ法によるInGaN単一量子井戸におけるキャリアダイナミクスの評価
使用近场瞬态透镜方法评估 InGaN 单量子阱中的载流子动力学
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    塚本真大;石井良太;船戸充;川上養一
  • 通讯作者:
    川上養一
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Ishii Ryota其他文献

Intrinsic exciton transitions of isotopically purified 13C studied by photoluminescence and transmission spectroscopy
通过光致发光和透射光谱研究同位素纯化的 13C 的本征激子跃迁
  • DOI:
    10.7567/1347-4065/ab5b77
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Ishii Ryota;Shikata Shinichi;Teraji Tokuyuki;Kanda Hisao;Watanabe Hideyuki;Funato Mitsuru;Kawakami Yoichi
  • 通讯作者:
    Kawakami Yoichi
Effect of Covariate Omission in Randomised Controlled Trials: A Review and Simulation Study
随机对照试验中协变量遗漏的影响:回顾和模拟研究
  • DOI:
    10.1111/insr.12468
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2
  • 作者:
    Ishii Ryota;Maruo Kazushi;Gosho Masahiko
  • 通讯作者:
    Gosho Masahiko
A note on the bias of standard errors when orthogonality of mean and variance parameters is not satisfied in the mixed model for repeated measures analysis
关于重复测量分析混合模型均值和方差参数不满足正交性时标准误偏差的说明
  • DOI:
    10.1002/sim.8474
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2
  • 作者:
    Maruo Kazushi;Ishii Ryota;Yamaguchi Yusuke;Doi Masaaki;Gosho Masahiko
  • 通讯作者:
    Gosho Masahiko
Technical transmission of hunting tool manufacture: A case of sppear hunting among modern hunter-gatherers in southeast Cameroon
狩猎工具制造的技术传承:喀麦隆东南部现代狩猎采集者的矛狩猎案例
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hayashi Koji;Ishii Ryota;Nakamura Yuuki;Terashima Hideaki;Nishiaki Yoshihiro
  • 通讯作者:
    Nishiaki Yoshihiro
極低運動量移行領域での電子弾性散乱による陽子電荷半径精密決定
极低动量跃迁区电子弹性散射精确测定质子电荷半径
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ishii Ryota;Shikata Shinichi;Teraji Tokuyuki;Kanda Hisao;Watanabe Hideyuki;Funato Mitsuru;Kawakami Yoichi;Jungsic Park;須田利美
  • 通讯作者:
    須田利美

Ishii Ryota的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Ishii Ryota', 18)}}的其他基金

Creation of ultrawide-bandgap-semiconductor exciton-engineering using deep-ultraviolet time and spatially resolved spectroscopies under extreme environments
在极端环境下利用深紫外时间和空间分辨光谱创建超宽带隙半导体激子工程
  • 批准号:
    19H02615
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Optical properties of super-widegap semiconductors studied by time and spatially resolved deep-ultraviolet spectroscopy
通过时间和空间分辨深紫外光谱研究超宽带隙半导体的光学性质
  • 批准号:
    17H04810
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
An Empirical Study on Overlapping boundaries of Popular History in Asia
亚洲通俗史边界重叠的实证研究
  • 批准号:
    15K16876
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似海外基金

III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
阐明III族氮化物半导体中的离子注入杂质激活机制和点缺陷控制
  • 批准号:
    23K21082
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究
使用多晶硅衬底的III族氮化物半导体平面发光器件的开发研究
  • 批准号:
    24K07603
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
希薄窒化物半導体発光層の複層化による室温での電界駆動超高速偏光変調の実現
多层稀氮化物半导体发光层实现室温电场驱动超快偏振调制
  • 批准号:
    24KJ0297
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御
使用界面电荷和应变极化工程控制氮化物半导体器件的阈值电压
  • 批准号:
    23K22815
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究
用于光量子计算的氮化物半导体单片光集成器件研究
  • 批准号:
    23K26572
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究
氮化物半导体选择性极性反转技术的构建及其在n型和p型区域同时形成中的应用研究
  • 批准号:
    24H00425
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
  • 批准号:
    24K01366
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
氮化物半导体AlGaN的非极性面生长及深紫外LED应用
  • 批准号:
    23K23238
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体デバイス排熱の有効利用に向けた窒化物半導体の熱電特性解明と性能向上
阐明氮化物半导体的热电特性和性能改进,以有效利用半导体器件废热
  • 批准号:
    23K26148
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
希薄窒化物半導体の光・電子・スピン機能性が拓く室温光スピントロニクスの新展開
稀氮化物半导体的光学、电子和自旋功能开发的室温光学自旋电子学新进展
  • 批准号:
    24K00913
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了