Optical properties of (Al,In,Ga)N-based semiconductors studied by spectroscopy under various perturbation fields
Optical properties of (Al,In,Ga)N-based semiconductors studied by spectroscopy under various perturbation fields
不同扰动场下光谱研究(Al,In,Ga)N基半导体的光学性质
批准号：
15K17460
负责人：
Ishii Ryota
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
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一軸性応力下におけるダイヤモンドの微分吸収スペクトル
单轴应力下金刚石的微分吸收光谱
单轴应力下金刚石的微分吸收光谱
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[石井良太, 鹿田真一, 船戸充, 川上養一]
通讯作者：
川上養一
多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン産卵分光
采用多波长激发发射分离法的 InGaN 薄膜拉曼生成光谱
采用多波长激发发射分离法的 InGaN 薄膜拉曼生成光谱
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
信学技報
影响因子：
--
作者：
[Ishizaki Kenji, Motohira Akito, De Zoysa Menaka, Tanaka Yoshinori, Umeda Takami, Noda Susumu, 石戸亮祐，石井良太，船戸充，川上養一]
通讯作者：
石戸亮祐，石井良太，船戸充，川上養一
過渡レンズ法を用いたGaN基板と薄膜における非輻射再結合過程の評価
使用瞬态透镜法评估 GaN 衬底和薄膜中的非辐射复合过程
使用瞬态透镜法评估 GaN 衬底和薄膜中的非辐射复合过程
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[塚本真大, 石井良太, 船戸充, 川上養一]
通讯作者：
川上養一
単結晶ダイヤモンドの応力下分光
单晶金刚石的应力谱
单晶金刚石的应力谱
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryota Ishii, Mitsuru Funato, and Yoichi kawakami, 石井良太，鹿田真一，船戸充，川上養一]
通讯作者：
石井良太，鹿田真一，船戸充，川上養一
近接場過渡レンズ法によるInGaN単一量子井戸におけるキャリアダイナミクスの評価
使用近场瞬态透镜方法评估 InGaN 单量子阱中的载流子动力学
使用近场瞬态透镜方法评估 InGaN 单量子阱中的载流子动力学
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[塚本真大, 石井良太, 船戸充, 川上養一]
通讯作者：
川上養一
共 11 条
Creation of ultrawide-bandgap-semiconductor exciton-engineering using deep-ultraviolet time and spatially resolved spectroscopies under extreme environments
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批准号：19H02615
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.48万
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财政年份：2019
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负责人：Ishii Ryota
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依托单位：
Optical properties of super-widegap semiconductors studied by time and spatially resolved deep-ultraviolet spectroscopy
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批准号：17H04810
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$16.39万
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财政年份：2017
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负责人：Ishii Ryota
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依托单位：
An Empirical Study on Overlapping boundaries of Popular History in Asia
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批准号：15K16876
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2015
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负责人：Ishii Ryota
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依托单位：
海外基金