Proposal of improving energy conversion efficiency of solar cell by phonon confinement
Proposal of improving energy conversion efficiency of solar cell by phonon confinement
批准号:
16K17511
负责人:
MA BEI
金额:
$2.75万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31
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金属/半導体複合構造におけるLOフォノン-プラズモン結合モード共鳴赤外光吸収とポラリトン損失
金属/半导体复合结构中LO声子-等离子体耦合模式共振红外光吸收和极化子损失
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[竹内映人, 坂本裕則, 馬ベイ, 森田健, 石谷善博]
通讯作者:
石谷善博
Theoretical calculation of rate coefficients, densities, and decay time of excitons and free carriers in GaN
GaN中激子和自由载流子的速率系数、密度和衰减时间的理论计算
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kensuke Oki, Kentaro Nomachi, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani]
通讯作者:
and Yoshihiro Ishitani
フォノンによるGaN励起子ダイナミクス過程への影響
声子对GaN激子动力学过程的影响
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[馬ベイ, 石谷善博]
通讯作者:
石谷善博
p 型Ga0.5In0.5P における高濃度p型ドープ試料におけるフォノン系電磁誘起透明化のスペクトル計算
p型Ga0.5In0.5P重p掺杂样品中基于声子的电磁感应透明度的光谱计算
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[坂本裕則,馬ベイ, 森田健, 石谷善博]
通讯作者:
石谷善博
GaNの深い準位の直接光励起による発光特性の考察
通过直接光激发 GaN 深能级来考虑发射特性
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[菊地萌,上原大輔,馬ベイ, 森田健, 三宅秀人,石谷善博]
通讯作者:
三宅秀人,石谷善博
共 46 条
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