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Development of nanoionics-based nonvolatile memory using field effect transistor structure

Development of nanoionics-based nonvolatile memory using field effect transistor structure
使用场效应晶体管结构开发基于纳米离子的非易失性存储器
批准号:
16K17520
负责人:
TSUCHIYA Takashi
金额:
$2.75万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2018-03-31

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Neuromorphic transistor achieved by redox reaction of WO3 thin film
WO3薄膜氧化还原反应实现神经形态晶体管
DOI: 10.7567/jjap.57.04fk01
发表时间: 2018
期刊: Japanese Journal of Applied Physics
影响因子: 1.5
作者: [Tsuchiya Takashi, Jayabalan Manikandan, Kawamura Kinya, Takayanagi Makoto, Higuchi Tohru, Jayavel Ramasamy, Terabe Kazuya]
通讯作者: Terabe Kazuya
DOI: 10.7567/jjap.56.04ck01
发表时间: 2017-01
期刊: Japanese Journal of Applied Physics
影响因子: 1.5
作者: [T. Tsuchiya;K. Kawamura;W. Namiki;Shoto Furuichi;M. Takayanagi;M. Minohara;Masaki Kobayashi;K. Horiba;H. Kumigashira;K. Terabe;T. Higuchi]
通讯作者: T. Tsuchiya;K. Kawamura;W. Namiki;Shoto Furuichi;M. Takayanagi;M. Minohara;Masaki Kobayashi;K. Horiba;H. Kumigashira;K. Terabe;T. Higuchi
全固体酸化還元トランジスタを用いたSrVO3薄膜の導電率変調
使用全固态氧化还原晶体管调节 SrVO3 薄膜的电导率
DOI: --
发表时间: 2018
期刊:
影响因子: --
作者: [高栁真, 土屋敬志, 並木航, 樋口透, 寺部一弥]
通讯作者: 寺部一弥
DOI: 10.7566/jpsj.87.034802
发表时间: 2018-02
期刊: Journal of the Physical Society of Japan
影响因子: 1.7
作者: [M. Takayanagi;T. Tsuchiya;W. Namiki;T. Higuchi;K. Terabe]
通讯作者: M. Takayanagi;T. Tsuchiya;W. Namiki;T. Higuchi;K. Terabe
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    Analysis of electric double layer at solid/solid electrolyte interfaces
    • 批准号:
      19K05279
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.75万
    • 财政年份:
      2019
    • 负责人:
      TSUCHIYA Takashi
    • 依托单位:
    Convex Optimization Modeling and Computational Inference
    Recovery of satellite data and knowledge discovery by discrete optimization and time series analysis
    Information Geometry of Convex Optimization : Extension and Applications