Group-IV lattice-matched heterostructure and its application to high-frequency devices

IV族晶格匹配异质结构及其在高频器件中的应用

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Formation of lattice-matched GeSiSn/Ge quantum well structure by sputter epitaxy method
溅射外延法形成晶格匹配的GeSiSn/Ge量子阱结构
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takahiro Tsukamoto;Nobumitsu Hirose;Akifumi Kasamatsu;Toshiaki Matsui;Yoshiyuki Suda
  • 通讯作者：
    Yoshiyuki Suda
金属/GeO2/n-Ge電極構造におけるTi薄膜の効果
Ti薄膜对金属/GeO2/n-Ge电极结构的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Tanikawa;K. Ohnishi;M. Kanoh;T. Mukai;T. Matsuoka;栗原祥太，脇谷実，塚本貴広，須田良幸;Bu Yinggang;奥野 巽未;栗原祥太，塚本貴広，須田良幸
  • 通讯作者：
    栗原祥太，塚本貴広，須田良幸
格子定数整合系GeSiSn/Ge n-RTDの作製
晶格常数匹配的 GeSiSn/Ge n-RTD 的制造
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    羽田一暁;塚本貴広;広瀬信光，笠松章史，松井敏明;須田良幸
  • 通讯作者：
    須田良幸
Epitaxial growth of GeSn and GeSiSn by sputter epitaxy method
溅射外延法外延生长GeSn和GeSiSn
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takahiro Tsukamoto;Nobumitsu Hirose;Akifumi Kasamatsu;Toshiaki Matsui;Yoshiyuki Suda
  • 通讯作者：
    Yoshiyuki Suda
格子定数整合GeSiSn/Ge系p-RTDの試作
晶格常数匹配的 GeSiSn/Ge 基 p-RTD 原型
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    栗原祥太，脇谷実，塚本貴広，須田良幸
  • 通讯作者：
    栗原祥太，脇谷実，塚本貴広，須田良幸
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Formation of GeSn layers by sputter epitaxy method
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