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Group-IV lattice-matched heterostructure and its application to high-frequency devices

Group-IV lattice-matched heterostructure and its application to high-frequency devices
IV族晶格匹配异质结构及其在高频器件中的应用
批准号：
16K18076
负责人：
TSUKAMOTO TAKAHIRO
金额：
$2.66万
依托单位：
The University of Electro-Communications (2017-2018)Tokyo University of Agriculture and Technology (2016)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K18076/
关键词：
GeSiSn共鳴トンネルダイオードRTDスパッタエピタキシー法スパッタエピタキシーⅣ族半導体電子デバイス・機器結晶成長電子・電気材料量子井戸

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Formation of lattice-matched GeSiSn/Ge quantum well structure by sputter epitaxy method
溅射外延法形成晶格匹配的GeSiSn/Ge量子阱结构
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda]
通讯作者： Yoshiyuki Suda
金属/GeO2/n-Ge電極構造におけるTi薄膜の効果
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DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Tanikawa, K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Mukai, T. Matsuoka, 栗原祥太，脇谷実，塚本貴広，須田良幸, Bu Yinggang, 奥野 巽未, 栗原祥太，塚本貴広，須田良幸]
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DOI： --
发表时间： 2017
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影响因子： --
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通讯作者： 須田良幸
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溅射外延法外延生长GeSn和GeSiSn
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda]
通讯作者： Yoshiyuki Suda
Development of high-frequency devices using GeSiSn/GeSn quantum wells
  • 批准号：
    19K04487
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.83万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    TSUKAMOTO TAKAHIRO
  • 依托单位：
    The University of Electro-Communications
Formation of GeSn layers by sputter epitaxy method
海外基金