Development of high-frequency devices using GeSiSn/GeSn quantum wells

利用GeSiSn/GeSn量子阱开发高频器件

基本信息

  • 批准号：
    19K04487
  • 负责人：
    TSUKAMOTO TAKAHIRO
  • 金额：
    $ 2.83万
  • 依托单位：
    The University of Electro-Communications
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2019
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（8）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effects of Low-Temperature GeSn Buffer Layers on Sn Surface Segregation During GeSn Epitaxial Growth
  • DOI：
    10.1007/s13391-019-00179-y
  • 发表时间：
    2019-11
  • 期刊：
    Electronic Materials Letters
  • 影响因子：
    2.4
  • 作者：
    T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Matsui;Y. Suda
  • 通讯作者：
    T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Matsui;Y. Suda
スパッタエピタキシー法を用いたGe/GeSiSnヘテロ構造形成
使用溅射外延方法形成Ge/GeSiSn异质结构
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Keiji Tsubaki;Atsushi Tsurumaki-Fukuchi;Yasuo Takahashi;Takayoshi Katase;Toshio Kamiya;Masashi Arita;塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
  • 通讯作者：
    塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
Direct Growth of Patterned Ge on Insulators Using Graphene
  • DOI：
    10.1021/acs.jpcc.1c03567
  • 发表时间：
    2021-06
  • 期刊：
    The Journal of Physical Chemistry C
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Matsui;Y. Suda
  • 通讯作者：
    T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Matsui;Y. Suda
Lattice-matched GeSiSn/Ge double-barrier resonant tunneling diodes
晶格匹配GeSiSn/Ge双势垒谐振隧道二极管
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takahiro Tsukamoto;Shota Kurihara;Nobumitsu Hirose;Akifumi Kasamatsu;Toshiaki Matsui;Yoshiyuki Suda
  • 通讯作者：
    Yoshiyuki Suda
グラフェンを用いた絶縁膜上におけるGe選択形成技術
使用石墨烯的绝缘膜Ge选择性形成技术
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takahiro Tsukamoto;Nobumitsu Hirose;Akifumi Kasamatsu;Toshiaki Matsui;Yoshiyuki Suda;塚本 貴広，広瀬 信光，笠松 章史，松井 敏明，須田 良幸
  • 通讯作者：
    塚本 貴広，広瀬 信光，笠松 章史，松井 敏明，須田 良幸
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    $ 2.83万
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    572430-2022
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    2022
  • 资助金额：
    $ 2.83万
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    University Undergraduate Student Research Awards
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  • 资助金额：
    $ 2.83万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    $ 2.83万
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