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Development of high-frequency devices using GeSiSn/GeSn quantum wells

Development of high-frequency devices using GeSiSn/GeSn quantum wells
利用GeSiSn/GeSn量子阱开发高频器件
批准号：
19K04487
负责人：
TSUKAMOTO TAKAHIRO
金额：
$2.83万
依托单位：
The University of Electro-Communications
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04487/
关键词：
GeSiSnGeSnスパッタエピタキシー法Sn拡散Sn析出スパッタエピタキシーヘテロ接合結晶成長ラマン分光法RTD半導体量子効果デバイス

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Effects of Low-Temperature GeSn Buffer Layers on Sn Surface Segregation During GeSn Epitaxial Growth
DOI： 10.1007/s13391-019-00179-y
发表时间： 2019-11
期刊： Electronic Materials Letters
影响因子： 2.4
作者： [T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Matsui;Y. Suda]
通讯作者： T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Matsui;Y. Suda
スパッタエピタキシー法を用いたGe/GeSiSnヘテロ構造形成
使用溅射外延方法形成Ge/GeSiSn异质结构
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [Keiji Tsubaki, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Yasuo Takahashi, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masashi Arita, 塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸]
通讯作者： 塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
Direct Growth of Patterned Ge on Insulators Using Graphene
DOI： 10.1021/acs.jpcc.1c03567
发表时间： 2021-06
期刊： The Journal of Physical Chemistry C
影响因子： --
作者： [T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Matsui;Y. Suda]
通讯作者： T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Matsui;Y. Suda
Lattice-matched GeSiSn/Ge double-barrier resonant tunneling diodes
晶格匹配GeSiSn/Ge双势垒谐振隧道二极管
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Takahiro Tsukamoto, Shota Kurihara, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda]
通讯作者： Yoshiyuki Suda
共 8 条
    Group-IV lattice-matched heterostructure and its application to high-frequency devices
    Formation of GeSn layers by sputter epitaxy method
    国内基金
    海外基金
    面向单片集成的GeSn合金红外光电探测技术研究
    固-气混合分子束外延生长GeSn合金材料动力学研究
    固—气混合分子束外延生长GeSn合金材料动力学研究
    • 批准号：
      62274160
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      52.00万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      成步文
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所