Formation of GeSn layers by sputter epitaxy method

通过溅射外延法形成GeSn层

• 批准号: 25820121
• 负责人: TSUKAMOTO TAKAHIRO
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25820121/
• 关键词: ゲルマニウムスズ; スパッタエピタキシー法; 結晶成長; GeSn; スパッタエピタキシー; ゲルマニウム

项目成果

Effect of boron dopant of Si (001) substrates on growth of Ge layers using sputter epitaxy method

Si(001)衬底硼掺杂剂对溅射外延法生长Ge层的影响

• 作者: T. Tsukamoto;A. Kasamatsu;N. Hirose;T. Mimura;T. Matsui;Y. Suda
• 通讯作者: Y. Suda

GeSn薄膜形成におけるSn析出の挙動

GeSn 薄膜形成过程中 Sn 沉淀的行为

• 发表时间: 2015
• 作者: 若林泰昂，江藤航，濵田勝幹;安部泰史;木原啓助;川崎敏之;坂井美穂;塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸
• 通讯作者: 塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸

Effects of boron dopants of Si (001) substrates on formation of Ge layers by sputter epitaxy method

• DOI: 10.1063/1.4826501
• 发表时间: 2013-10
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Mimura;T. Matsui;Y. Suda

スパッタエピタキシー法を用いたSi直上へのGeSn薄膜の形成

采用溅射外延法直接在 Si 上形成 GeSn 薄膜

• 发表时间: 2014
• 作者: J. Shi;Y. Takagi;D. Anzai and J. Wang;塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸
• 通讯作者: 塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸

Formation of GeSn layers on Si (001) substrates at high growth temperature and high deposition rate by sputter epitaxy method

• DOI: 10.1007/s10853-015-8990-4
• 发表时间: 2015-04
• 期刊: Journal of Materials Science
• 影响因子: 4.5
• 作者: T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Mimura;T. Matsui;Y. Suda