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Formation of GeSn layers by sputter epitaxy method

Formation of GeSn layers by sputter epitaxy method
通过溅射外延法形成GeSn层
批准号：
25820121
负责人：
TSUKAMOTO TAKAHIRO
金额：
$2.75万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25820121/
关键词：
ゲルマニウムスズスパッタエピタキシー法結晶成長GeSnスパッタエピタキシーゲルマニウム

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Effect of boron dopant of Si (001) substrates on growth of Ge layers using sputter epitaxy method
Si(001)衬底硼掺杂剂对溅射外延法生长Ge层的影响
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Tsukamoto, A. Kasamatsu, N. Hirose, T. Mimura, T. Matsui, Y. Suda]
通讯作者： Y. Suda
GeSn薄膜形成におけるSn析出の挙動
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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [若林泰昂，江藤航，濵田勝幹, 安部泰史, 木原啓助, 川崎敏之, 坂井美穂, 塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸]
通讯作者： 塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸
Effects of boron dopants of Si (001) substrates on formation of Ge layers by sputter epitaxy method
DOI： 10.1063/1.4826501
发表时间： 2013-10
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Mimura;T. Matsui;Y. Suda]
通讯作者： T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Mimura;T. Matsui;Y. Suda
スパッタエピタキシー法を用いたSi直上へのGeSn薄膜の形成
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发表时间： 2014
期刊：
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作者： [J. Shi, Y. Takagi, D. Anzai and J. Wang, 塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸]
通讯作者： 塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸
共 10 条
    Development of high-frequency devices using GeSiSn/GeSn quantum wells
    • 批准号：
      19K04487
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      TSUKAMOTO TAKAHIRO
    • 依托单位：
      The University of Electro-Communications
    Group-IV lattice-matched heterostructure and its application to high-frequency devices
    海外基金