Formation of Ohmic contact for diamond semiconductor with nanocrystalline diamond interlayers
Formation of Ohmic contact for diamond semiconductor with nanocrystalline diamond interlayers
具有纳米晶金刚石中间层的金刚石半导体欧姆接触的形成
批准号：
16K18238
负责人：
Katamune Yuki
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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半導体膜形成方法
半导体成膜方法
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DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Study on Defects in Ultrananocrystalline Diamond/Amorphous Carbon Composite Films Prepared by Physical Vapor Deposition
物理气相沉积法制备超纳米晶金刚石/非晶碳复合薄膜的缺陷研究
物理气相沉积法制备超纳米晶金刚石/非晶碳复合薄膜的缺陷研究
DOI：
10.1149/07525.0045ecst
发表时间：
2017
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[Y. Katamune, S. Al-Riyami, S. Takeichi, and T. Yoshitake]
通讯作者：
and T. Yoshitake
熱フィラメントCVD法による有機リン溶液を用いた ダイヤモンドの成長速度異方性の調査
热丝CVD法研究有机磷溶液金刚石生长速率各向异性
热丝CVD法研究有机磷溶液金刚石生长速率各向异性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Katamune, D. Arikawa, D. Mori, and A. Izumi, 熱フィラメントCVD法により有機リン溶液を用いて作製した多結晶ダイヤモド膜の構造評価, 森大地，有川大輔，片宗優貴，和泉亮]
通讯作者：
森大地，有川大輔，片宗優貴，和泉亮
Diamond growth with SiCN interlayer by hot Filament chemical vapor deposition
通过热丝化学气相沉积法生长 SiCN 中间层的金刚石
通过热丝化学气相沉积法生长 SiCN 中间层的金刚石
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yuki Katamune, Hiroto Mori, Akira Izumi]
通讯作者：
Akira Izumi
HF-CVD法によるダイヤモンド膜の形成におけるSiCN中間層の検討
HF-CVD法金刚石薄膜SiCN中间层的研究
HF-CVD法金刚石薄膜SiCN中间层的研究
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田渕賢史朗, 堀出朋哉, 松本要, 片宗優貴，森寛人，和泉亮]
通讯作者：
片宗優貴，森寛人，和泉亮
共 20 条
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