Reduction of contact resistance and demonstration of nitrogen-polar AlN field-effect transistors
Reduction of contact resistance and demonstration of nitrogen-polar AlN field-effect transistors
降低接触电阻并演示氮极性AlN场效应晶体管
批准号：
17K14110
负责人：
Hironori Okumura
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2019-03-31
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Electrical Properties of Si-Ion Implanted AlN
硅离子注入 AlN 的电性能
硅离子注入 AlN 的电性能
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Okumura, S. Suihkonen, and T. Palacios]
通讯作者：
and T. Palacios
Linkoping University(Sweden)
林雪平大学（瑞典）
林雪平大学（瑞典）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.02.020
发表时间：
2018-04
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[J. Lemettinen;H. Okumura;I. Kim;M. Rudziński;J. Grzonka;T. Palacios;S. Suihkonen]
通讯作者：
J. Lemettinen;H. Okumura;I. Kim;M. Rudziński;J. Grzonka;T. Palacios;S. Suihkonen
Demonstration of Nitrogen-face AlN-based polarization field-effect transistors
氮面 AlN 基极化场效应晶体管的演示
氮面 AlN 基极化场效应晶体管的演示
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hironori Okumura, Jori Lemettinen, Sami Suihkonen, Tomas Palacios]
通讯作者：
Tomas Palacios
Aalto university(Finland)
阿尔托大学（芬兰）
阿尔托大学（芬兰）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
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