Reduction of contact resistance and demonstration of nitrogen-polar AlN field-effect transistors

降低接触电阻并演示氮极性AlN场效应晶体管

基本信息

  • 批准号：
    17K14110
  • 负责人：
    Hironori Okumura
  • 金额：
    $ 2.83万
  • 依托单位：
    University of Tsukuba
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份：
    2017
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2017-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（12）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electrical Properties of Si-Ion Implanted AlN
硅离子注入 AlN 的电性能
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    H. Okumura;S. Suihkonen;and T. Palacios
  • 通讯作者：
    and T. Palacios
MOVPE growth of nitrogen- and aluminum-polar AlN on 4H-SiC
  • DOI：
    10.1016/j.jcrysgro.2018.02.020
  • 发表时间：
    2018-04
  • 期刊：
    Journal of Crystal Growth
  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    J. Lemettinen;H. Okumura;I. Kim;M. Rudziński;J. Grzonka;T. Palacios;S. Suihkonen
  • 通讯作者：
    J. Lemettinen;H. Okumura;I. Kim;M. Rudziński;J. Grzonka;T. Palacios;S. Suihkonen
Linkoping University(Sweden)
林雪平大学（瑞典）
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Aalto university(Finland)
阿尔托大学（芬兰）
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Demonstration of Nitrogen-face AlN-based polarization field-effect transistors
氮面 AlN 基极化场效应晶体管的演示
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hironori Okumura;Jori Lemettinen;Sami Suihkonen;Tomas Palacios
  • 通讯作者：
    Tomas Palacios
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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  • 通讯作者：
    Tomas Palacios
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  • 影响因子：
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    Lemettinen Jori;Chowdhury Nadim;Okumura Hironori;Kim Iurii;Suihkonen Sami;Palacios Tomas;Hironori Okumura
  • 通讯作者：
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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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