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Reduction of contact resistance and demonstration of nitrogen-polar AlN field-effect transistors
降低接触电阻并演示氮极性AlN场效应晶体管
基本信息
- 批准号：17K14110
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（12）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electrical Properties of Si-Ion Implanted AlN
硅离子注入 AlN 的电性能
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Okumura;S. Suihkonen;and T. Palacios
- 通讯作者：and T. Palacios
MOVPE growth of nitrogen- and aluminum-polar AlN on 4H-SiC
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2018.02.020
- 发表时间：2018-04
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：J. Lemettinen;H. Okumura;I. Kim;M. Rudziński;J. Grzonka;T. Palacios;S. Suihkonen
- 通讯作者：J. Lemettinen;H. Okumura;I. Kim;M. Rudziński;J. Grzonka;T. Palacios;S. Suihkonen
Demonstration of Nitrogen-face AlN-based polarization field-effect transistors
氮面 AlN 基极化场效应晶体管的演示
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hironori Okumura;Jori Lemettinen;Sami Suihkonen;Tomas Palacios
- 通讯作者：Tomas Palacios
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- DOI：
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Hironori Okumura
Hironori Okumura的其他文献
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