Correlated oxides/atomically thin semiconductors heterostructures for steep-slope transistors applications
Correlated oxides/atomically thin semiconductors heterostructures for steep-slope transistors applications
用于陡坡晶体管应用的相关氧化物/原子薄半导体异质结构
批准号：
17K14658
负责人：
Yamamoto Mahito
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2019-03-31
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六方晶窒化ホウ素をゲート絶縁体として用いたVO2 FETにおける高効率抵抗変調
使用六方氮化硼作为栅极绝缘体的 VO2 FET 的高效电阻调制
使用六方氮化硼作为栅极绝缘体的 VO2 FET 的高效电阻调制
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[安西勇人, 山本真人, 神吉輝夫, 渡邊賢司, 谷口尚, 松本和彦, 田中秀和]
通讯作者：
田中秀和
DOI：
10.1021/acs.jpcc.8b05857
发表时间：
2018-07-26
期刊：
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
影响因子：
3.7
作者：
[Das, Soumya Ranjan, Wakabayashi, Katsunori, Dutta, Sudipta]
通讯作者：
Dutta, Sudipta
Effective resistance modulation in VO2 by gating through hexagonal boron nitride
通过六方氮化硼选通有效调节 VO2 的电阻
通过六方氮化硼选通有效调节 VO2 的电阻
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[安西勇人, 山本真人, 神吉輝夫, 渡邊健司, 谷口尚, 田中秀和]
通讯作者：
田中秀和
Steep-Slope Transistors Based on 2D Semiconductors Contacted with the Phase-Change Material VO2
基于与相变材料 VO2 接触的二维半导体的陡坡晶体管
基于与相变材料 VO2 接触的二维半导体的陡坡晶体管
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Mahito Yamamoto,Teruo Kanki, Azusa Hattori, Ryo Nouchi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Keiji Ueno, Hidekazu Tanaka]
通讯作者：
Hidekazu Tanaka
Growth and characterization of VO2 on hexagonal boron nitride
VO2 在六方氮化硼上的生长及表征
VO2 在六方氮化硼上的生长及表征
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shingo GENCHI, Mahito YAMAMOTO, Teruo KANKI, Kenji WATANABE, Takashi TANIGUCHI, Hidekazu TANAKA]
通讯作者：
Hidekazu TANAKA
共 10 条
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