Large area germanene growth on the single-crystal graphene template
Large area germanene growth on the single-crystal graphene template
单晶石墨烯模板上大面积锗烯生长
批准号：
17K18224
负责人：
Suzuki Seiya
金额：
$2.41万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2019-03-31
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Atomically Thin Ge Layer Segregated through Au/Ag Films
通过 Au/Ag 薄膜隔离的原子薄 Ge 层
通过 Au/Ag 薄膜隔离的原子薄 Ge 层
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Seiya Suzuki, Tatsurou Inaba, Masamichi Yoshimura]
通讯作者：
Masamichi Yoshimura
金属薄膜を用いた結晶ゲルマニウムの析出
使用金属薄膜沉积晶体锗
使用金属薄膜沉积晶体锗
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Seiya Suzuki, Tatsurou Inaba, Masamichi Yoshimura, 鈴木 誠也，稲葉 達郎，吉村 雅満]
通讯作者：
鈴木 誠也，稲葉 達郎，吉村 雅満
銅上CVDグラフェンにおけるTa誘起局所核生成のメカニズム
铜上 CVD 石墨烯 Ta 诱导局部成核机制
铜上 CVD 石墨烯 Ta 诱导局部成核机制
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[井口 正彦, Masahiko Iguchi, Aki Suwa and Masahiko Iguchi, 鈴木 誠也，原 正則，吉村 雅満]
通讯作者：
鈴木 誠也，原 正則，吉村 雅満
タンタルによる銅板裏面への化学気相成長グラフェンの局所的核生成
使用钽在铜板背面化学气相沉积石墨烯的局部成核
使用钽在铜板背面化学气相沉积石墨烯的局部成核
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[井口 正彦, Masahiko Iguchi, Aki Suwa and Masahiko Iguchi, 鈴木 誠也，原 正則，吉村 雅満, 鈴木 誠也，鷲見 穂高，原 正則，吉村 雅満]
通讯作者：
鈴木 誠也，鷲見 穂高，原 正則，吉村 雅満
Direct growth of germanene between h-BN layers
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批准号：20K15134
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项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2020
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负责人：Suzuki Seiya
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依托单位：
Fabrication of two dimensional silver in bilayer graphene and its applications for surface-enhanced Raman spectroscopy
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批准号：15H06723
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项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额：$1.91万
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财政年份：2015
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负责人：Suzuki Seiya
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依托单位：
海外基金