New approach to the physics of two dimensional electron systems
二维电子系统物理学的新方法
基本信息
- 批准号:21244047
- 负责人:
- 金额:$ 30.04万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2009
- 资助国家:日本
- 起止时间:2009-04-01 至 2013-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
We study magnetotransport in a high-mobility Si two-dimensional electron system by in situ tilting of the sample relative to the magnetic field. A pronounced dip in the longitudinal resistivity is observed during the Landau-level crossing process for noninteger filling factors. This indicates that electrons in the relevant Landau levels become localized at the coincidence.Cyclotron resonance of two-dimensional electrons is studied at low temperatures for a high-mobility Si/SiGe which exhibits a metallic temperature dependence of dc resistivity. The relaxation time shows a negative temperature dependence, which is similar to that of the transport scattering time.Two-dimensional (2D) superconductivity was studied by magnetotransport measurements on single-atomic-layer Pb films on a cleaved GaAs surface. The results are explained in terms of an inhomogeneous superconducting state predicted for 2D metals with a large Rashba spin splitting.
我们研究了高迁移率硅二维电子系统中的磁输运通过原位倾斜的样品相对于磁场。在朗道水平交叉过程中观察到的非整数填充因子的纵向电阻率的显着下降。这表明,在相关的朗道能级的电子成为本地化的coincidence.Cyclotron共振的二维电子的研究在低温下的高迁移率的Si/SiGe表现出金属的直流电阻率的温度依赖性。弛豫时间表现出负的温度依赖性,这是类似的输运散射时间。二维(2D)超导电性研究的单原子层Pb膜的解理GaAs表面的磁输运测量。结果解释在一个非均匀的超导状态预测的2D金属与一个大的Rashba自旋分裂。
项目成果
期刊论文数量(32)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Superconductivity of ultrathin metallic films on cleaved GaAs surfaces
解理 GaAs 表面超薄金属薄膜的超导性
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Sekihara;R. Masutomi;and T. Okamoto
- 通讯作者:and T. Okamoto
Well-width dependence of valley splitting in Si/SiGe quantum wells
Si/SiGe 量子阱中谷分裂的阱宽依赖性
- DOI:10.1063/1.3270539
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:K. Sasaki;R. Masutomi;K. Toyama;K. Sawano;Y. Shiraki;and T. Okamoto
- 通讯作者:and T. Okamoto
Strongly correlated two-dimensional system and superconductivity in one atomic layer
强相关二维系统与单原子层超导
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:七尾翼;井上壮志;近森正敏;宮武裕和;吉見彰洋;古川武;他;藤田高史,森本和浩,寺岡総一郎,Allison Giles,Arne Ludwig,Andreas Wieck,大岩顕,樽茶清悟;赤木和人;R. Masutomi
- 通讯作者:R. Masutomi
Hysteresis in magnetoresistance of InAs surface inversion layers covered with submonolayer of Fe films
亚单层 Fe 薄膜覆盖的 InAs 表面反型层的磁阻磁滞
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Mochizuki;R.Masutomi;T.Okamoto
- 通讯作者:T.Okamoto
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
OKAMOTO Tohru其他文献
OKAMOTO Tohru的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('OKAMOTO Tohru', 18)}}的其他基金
Spin degree of freedom in two dimensional systems formed at semiconductor surfaces and interfaces
半导体表面和界面处形成的二维系统的自旋自由度
- 批准号:
18340080 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Electron correlation and magnetic field effect in two dimensional electron systems in semiconductors
半导体二维电子系统中的电子关联和磁场效应
- 批准号:
13304028 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Magnetism and metal-insulator transition in two-dimensional electron systems formed in semiconductor interfaces
半导体界面中形成的二维电子系统中的磁性和金属-绝缘体转变
- 批准号:
10203210 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (B)
相似国自然基金
阻挫磁体HoAgGe中kagome自旋冰态的低温物性和中子散射研究
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:55 万元
- 项目类别:面上项目
关联电子材料的极低温物性研究
- 批准号:50802016
- 批准年份:2008
- 资助金额:20.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
比辐射率反演,极低温物性和一批逆问题的统一理论
- 批准号:10174016
- 批准年份:2001
- 资助金额:16.0 万元
- 项目类别:面上项目
多组元非晶和纳米晶亚稳材料的低温物性
- 批准号:50171075
- 批准年份:2001
- 资助金额:25.0 万元
- 项目类别:面上项目
超细颗粒材料的低温物性研究
- 批准号:19374055
- 批准年份:1993
- 资助金额:9.0 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
フラストレート系強相関化合物における新規低温物性・圧力誘起物性の探索
在受挫的强相关化合物中寻找新的低温和压力诱导的物理性质
- 批准号:
17740229 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
メタ磁性をしめす重い電子系セリウム化合物の低温物性の研究
具有亚磁性的重电子基铈化合物的低温物理性质研究
- 批准号:
08740293 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
Ce_5Si_3のメタ磁性と低温物性
Ce_5Si_3的超磁性及低温性能
- 批准号:
07640469 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
強相関伝導系の低温物性
强相关传导系统的低温特性
- 批准号:
06244101 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
有機辞意体の極低温物性
有机化合物的低温特性
- 批准号:
06218208 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
有機磁性体の極低温物性(比熱,磁化)
有机磁性材料的低温特性(比热、磁化强度)
- 批准号:
05226210 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ウランを含んだSn化合物のf電子に起因する低温物性異常
含铀Sn化合物中f电子引起的低温物性异常
- 批准号:
05740236 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
有機磁性体の極低温物性の評価
有机磁性材料低温性能评价
- 批准号:
04242204 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
立方晶希土類化合物RRuSn_3の低温物性の研究
立方稀土化合物RRuSn_3低温物性研究
- 批准号:
02640242 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
低温構造用合金の低温物性に関する研究
低温结构用合金的低温物理性能研究
- 批准号:
58460208 - 财政年份:1983
- 资助金额:
$ 30.04万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)














{{item.name}}会员




