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Spin degree of freedom in two dimensional systems formed at semiconductor surfaces and interfaces

Spin degree of freedom in two dimensional systems formed at semiconductor surfaces and interfaces
半导体表面和界面处形成的二维系统的自旋自由度
批准号：
18340080
负责人：
OKAMOTO Tohru
金额：
$11.14万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18340080/
关键词：
低温物性表面・界面物性半導体物性量子閉じ込め

项目摘要

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研究成果は多岐にわたるが代表的なものを2つ挙げる。(1)一原子層以下のFeを吸着させたInAs劈開表面において、2次元電子の磁気抵抗曲線における明瞭なヒステリシスを観測した。さらに詳細な測定を行い、Fe の超薄膜が2次元スピングラスを形成していることを強く示唆する結果を得た。(2)強相関シリコン2次元電子系に対して希釈冷凍機中で磁場方位をその場制御した実験において、ランダウ交差時に擬スピンの強磁性ドメイン構造が形成されることを示す結果を得た。電気伝導の異方性は、面内磁場に直交する方向に伸びたストライプ構造を示唆する。
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会议论文
On Effects of Gate Bias on Hole Effective Mass and Mobility in Strained-Ge Channel Structures
栅极偏置对应变Ge沟道结构中空穴有效质量和迁移率的影响
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Applied Physics Express 1
影响因子： --
作者： [K.Sawano, Y.Kunishi, Y.Satoh, K.Toyama, K.Arimoto, T.Okamoto, N.Usami, K.Nakagawa, Y.Shiraki]
通讯作者： Y.Shiraki
Alkali Metal Induced Two Dimensional Electron Systems at Cleaved Surfaces of InAs
InAs 解理面碱金属诱导二维电子系统
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [R. Masutomi, M. Minowa, T. Mochizuki, T. Okamoto]
通讯作者： T. Okamoto
Alkali Metal Induced Two Dimensional Electron Systems at Cleaved Surface of InAs
InAs解理面碱金属诱导二维电子系统
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [R. Masutomi, M. Minowa, T. Mochizuki and T. Okamoto]
通讯作者： T. Mochizuki and T. Okamoto
Observation of the quantum Hall effect in cleaved InAs surfaces
裂开 InAs 表面量子霍尔效应的观察
DOI： --
发表时间： 2006
期刊： Physica E 34
影响因子： --
作者： [Y.Tsuji, T.Mochizuki, T.Okamoto]
通讯作者： T.Okamoto
共 25 条
    New approach to the physics of two dimensional electron systems
    • 批准号：
      21244047
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $30.04万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      OKAMOTO Tohru
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Electron correlation and magnetic field effect in two dimensional electron systems in semiconductors
    • 批准号：
      13304028
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $24.46万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      OKAMOTO Tohru
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Magnetism and metal-insulator transition in two-dimensional electron systems formed in semiconductor interfaces
    海外基金