刷新
Creation of single-crystal graphene substrate through surface structure control on a wafer scale
通过晶圆级表面结构控制创建单晶石墨烯基底
基本信息
- 批准号：21246006
- 负责人：
- 金额：$ 29.45万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
When SiC is thermally decomposed by annealing, graphene epitaxially grows on the substrate. Based on this phenomenon, we produced highly-uniform monolayer, bilayer, and trilayer graphene by controlling the annealing environment and temperature. We fabricated top-gated Hall bar devices using the monolayer and bilayer graphene, and measured their characteristics. We clarified that monolayer and bilayer graphene exhibit distinctly different electronic transport properties, reflecting their electronic structures.
当SIC通过退火热分解时，石墨烯在底物上生长。基于这种现象，我们通过控制退火环境和温度来生产高均匀的单层，双层和三层石墨烯。我们使用单层和双层石墨烯制造了顶部门控的大厅杆设备，并测量了它们的特性。我们澄清说，单层和双层石墨烯具有明显不同的电子传输性能，反映了它们的电子结构。
项目成果
期刊论文数量（185）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
転写エピタキシャルグラフェンが有する固有応力
转移外延石墨烯的内应力
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y.Hoshi;K.Sawano;A.Yamada;N.Usami;K.Arimoto;K.Nakagawa;Y.Shiraki;K. Morita and M. Abe et al.;玉川大輔
- 通讯作者：玉川大輔
エピタキシャルグラフェンの大面積転写(III)
外延石墨烯的大面积转移（III）
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yuichiro Ando;Kenji Kasahara;Kazutaka Yamane;Kohei Hamaya;Kentarou Sawano;Takashi Kimura;Masanobu Miyao;石田高章
- 通讯作者：石田高章
グラフェンの基礎物性とその理論-デバイス応用の観点から
石墨烯的基本物理性质及其理论——从器件应用角度
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K.Sawano;K.Toyama;R.Masutomi;T.Okamoto;K.Arimoto;K.Nakagawa;N.Usami;Y.Shiraki;影島博之
- 通讯作者：影島博之
Epitaxial few-layer graphene : toward single crystal growth
外延少层石墨烯：走向单晶生长
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Hibino;H. Kageshima;and M. Nagase
- 通讯作者：and M. Nagase
シリコンカーバイド上に成長したエピタキシャルグラフェン
在碳化硅上生长外延石墨烯
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H.Hibino;S.Tanabe;H.Kageshima
- 通讯作者：H.Kageshima
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
HIBINO Hiroki其他文献
HIBINO Hiroki的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
フェムト秒レーザー改質による透明高分子材料内部への三次元炭素構造の作製とその応用
飞秒激光改性透明高分子材料内三维碳结构及其应用
- 批准号：
22KJ2678 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 29.45万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Formation of graphene with low density of defects by plasma-assisted anneal on flat SiC(0001) surfaces
通过等离子体辅助退火在平坦的 SiC(0001) 表面上形成低缺陷密度石墨烯
- 批准号：
15H03902 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 29.45万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
In-situ observation of the graphene through the thermal decomposition of silicon carbide by shcrotron surface x-ray difraction
通过加速器表面X射线衍射对碳化硅热分解石墨烯进行原位观察
- 批准号：
26790045 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 29.45万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Current control of graphene channel transistors using semiconductor contacts
使用半导体接触的石墨烯沟道晶体管的电流控制
- 批准号：
24656204 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 29.45万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Graphene growth on ultraflat SiC surfaces assisted by preferential etching of surface Si atoms
表面硅原子优先蚀刻辅助超平坦碳化硅表面石墨烯生长
- 批准号：
24656101 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 29.45万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research