Creation of single-crystal graphene substrate through surface structure control on a wafer scale

通过晶圆级表面结构控制创建单晶石墨烯基底

• 批准号: 21246006
• 负责人: HIBINO Hiroki
• 金额: $ 29.45万
• 依托单位: NTT Basic Research Laboratories
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21246006/
• 关键词: ナノ構造物性; グラフェン; シリコンカーバイド; 電気伝導特性; 低エネルギー電子顕微鏡; 量子ホール効果; キャリア移動度; インターカレーション; ホール素子; バンドギャップ; 成長機構; トランジスタ

When SiC is thermally decomposed by annealing, graphene epitaxially grows on the substrate. Based on this phenomenon, we produced highly-uniform monolayer, bilayer, and trilayer graphene by controlling the annealing environment and temperature. We fabricated top-gated Hall bar devices using the monolayer and bilayer graphene, and measured their characteristics. We clarified that monolayer and bilayer graphene exhibit distinctly different electronic transport properties, reflecting their electronic structures.

当SiC通过退火热分解时，石墨烯在基板上外延生长。基于这一现象，我们通过控制退火环境和温度，制备了高度均匀的单层、双层和三层石墨烯。我们使用单层和双层石墨烯制造了顶栅霍尔棒器件，并测量了它们的特性。我们澄清，单层和双层石墨烯表现出明显不同的电子传输特性，反映了它们的电子结构。

项目成果

Theoretical Study on Magnetoelectric and Thermoelectric Properties for Graphene Devices

• DOI: 10.1143/jjap.50.070115
• 发表时间: 2011-07
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: H. Kageshima;H. Hibino;M. Nagase;Y. Sekine;H. Yamaguchi

Contact conductance measurement of locally suspended graphene on SiC

SiC 上局部悬浮石墨烯的接触电导测量

• DOI: 10.1143/apex.3.045101
• 发表时间: 2010
• 期刊: Appl. Phys. Exp.
• 作者: M. Nagase;H. Hibino;H. Kageshima;and H. Yamaguchi
• 通讯作者: and H. Yamaguchi

Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC

SiC 上顶栅单层和双层石墨烯器件的电子输运特性

• 发表时间: 2011
• 期刊: MRS Proc.
• 作者: S. Tanabe;Y. Sekine;H. Kageshima;M. Nagase;and H. Hibino
• 通讯作者: and H. Hibino

SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン成長におけるSi脱離とC吸着の効果の比較

SiC(0001)外延石墨烯生长过程中Si脱附和C吸附的影响比较

• 发表时间: 2011
• 作者: H.Ohashi;S.suds;H.Tanuma;S.Fujioka;H.Nishimura;A.Sasaki;K.Nishihara;影島博之
• 通讯作者: 影島博之

ガスソースMBEによるグラフェンの成長-フィン状構造の形成-

通过气源MBE生长石墨烯-鳍状结构的形成-

• 发表时间: 2011
• 作者: 佐藤友哉，町田真一，中山泰夫;石井久夫;前田文彦
• 通讯作者: 前田文彦