权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Comprehensive Observation of Interface dipoles at Insulator Semiconductor Interface

绝缘体半导体界面界面偶极子的综合观测

基本信息

批准号：
21246008
负责人：
IWAI Hiroshi
金额：
$ 29.7万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2011
项目状态：
已结题

项目摘要

To elucidate the origin of interface dipoles presented at dielectric and semiconductor interface, flatband voltages of MOS capacitors with rare earth oxides have been characterized. A model to reproduce the thickness dependent flatband voltage shift has been proposed. The composition of Si atoms in oxides rarely affects the magnitude of interface dipole. Oxygen atom supply at the interface, either by rare earth oxide stacking or by process, can shift the flatband voltage, suggesting that the main origin of interface dipole is due to oxygen defect during silicate reaction.

为了阐明介电界面和半导体界面存在界面偶极子的原因，对含稀土氧化物的MOS电容器的平带电压进行了表征。提出了一个再现平带电压漂移随厚度变化的模型。氧化物中硅原子的组成对界面偶极子的大小几乎没有影响。界面上的氧原子供应，无论是通过稀土氧化物堆积还是通过工艺，都可以使平带电压发生变化，这表明界面偶极子的主要来源是硅酸盐反应中的氧缺陷。

项目成果

期刊论文数量（21）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Compensation of oxygen defects in La-silicate gate dielectrics for improving effective mobility in high-k/metal gate MOSFET using oxygen annealing process

DOI：
10.1016/j.sse.2011.10.006
发表时间：
2012-02-01
期刊：
SOLID-STATE ELECTRONICS
影响因子：
1.7
作者：
Kawanago, T.;Suzuki, T.;Iwai, H.
通讯作者：
Iwai, H.

Electrical Characteristics of Rare Earth(La, Ce, Pr and Tm)Oxides/Silicates Gate Dielectric

稀土（La、Ce、Pr 和 Tm）氧化物/硅酸盐栅极电介质的电特性

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
ECS Transaction 27
影响因子：
0
作者：
K.Matano;et al.
通讯作者：
et al.

Characterization of flatband voltage roll-off and roll-up behavior in La_2 O_3/silicate gate dielectric

La_2 O_3/硅酸盐栅介质中平带电压滚降和滚升行为的表征

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
Solid-State Electronics (in press)
影响因子：
0
作者：
K.Kakushima;et al.
通讯作者：
et al.

EOT of 0.62 nm and High Electron Mobility in La-silicate/Si Structure Based nMOSFETs Achieved by Utilizing Metal-Inserted Poly-Si Stacks and Annealing at High Temperature

DOI：
10.1109/ted.2011.2174442
发表时间：
2012-02
期刊：
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子：
3.1
作者：
T. Kawanago;Yeonghun Lee;K. Kakushima;P. Ahmet;K. Tsutsui;A. Nishiyama;N. Sugii;K. Natori;T. Hattori;H. Iwai
通讯作者：
T. Kawanago;Yeonghun Lee;K. Kakushima;P. Ahmet;K. Tsutsui;A. Nishiyama;N. Sugii;K. Natori;T. Hattori;H. Iwai

W/Tm_2O_3/n-Si構造キャパシタの電気特性におけるTm_2O_3膜厚依存性

W/Tm_2O_3/n-Si结构电容器电特性对Tm_2O_3膜厚的依赖性