Comprehensive Observation of Interface dipoles at Insulator Semiconductor Interface

绝缘体半导体界面界面偶极子的综合观测

基本信息

  • 批准号:
    21246008
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 29.7万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

To elucidate the origin of interface dipoles presented at dielectric and semiconductor interface, flatband voltages of MOS capacitors with rare earth oxides have been characterized. A model to reproduce the thickness dependent flatband voltage shift has been proposed. The composition of Si atoms in oxides rarely affects the magnitude of interface dipole. Oxygen atom supply at the interface, either by rare earth oxide stacking or by process, can shift the flatband voltage, suggesting that the main origin of interface dipole is due to oxygen defect during silicate reaction.
为了阐明介电质与半导体界面偶极的来源,本文研究了稀土氧化物金属氧化物半导体电容器的平带电压。提出了一个模型来再现厚度依赖的平带电压漂移。氧化物中Si原子的组成对界面偶极子的大小影响不大。在界面处的氧原子供应,无论是通过稀土氧化物堆叠或通过工艺,可以移动平带电压,这表明界面偶极子的主要来源是由于在硅酸盐反应过程中的氧缺陷。

项目成果

期刊论文数量(21)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Compensation of oxygen defects in La-silicate gate dielectrics for improving effective mobility in high-k/metal gate MOSFET using oxygen annealing process
  • DOI:
    10.1016/j.sse.2011.10.006
  • 发表时间:
    2012-02-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Kawanago, T.;Suzuki, T.;Iwai, H.
  • 通讯作者:
    Iwai, H.
Electrical Characteristics of Rare Earth(La, Ce, Pr and Tm)Oxides/Silicates Gate Dielectric
稀土(La、Ce、Pr ​​和 Tm)氧化物/硅酸盐栅极电介质的电特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K.Matano;et al.
  • 通讯作者:
    et al.
Characterization of flatband voltage roll-off and roll-up behavior in La_2 O_3/silicate gate dielectric
La_2 O_3/硅酸盐栅介质中平带电压滚降和滚升行为的表征
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  • DOI:
    10.1109/ted.2011.2174442
  • 发表时间:
    2012-02
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.1
  • 作者:
    T. Kawanago;Yeonghun Lee;K. Kakushima;P. Ahmet;K. Tsutsui;A. Nishiyama;N. Sugii;K. Natori;T. Hattori;H. Iwai
  • 通讯作者:
    T. Kawanago;Yeonghun Lee;K. Kakushima;P. Ahmet;K. Tsutsui;A. Nishiyama;N. Sugii;K. Natori;T. Hattori;H. Iwai
W/Tm_2O_3/n-Si構造キャパシタの電気特性におけるTm_2O_3膜厚依存性
W/Tm_2O_3/n-Si结构电容器电特性对Tm_2O_3膜厚的依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    常石佳奈;他
  • 通讯作者:
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  • 资助金额:
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    DP240102230
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  • 资助金额:
    $ 29.7万
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知道了