Local opticalresponse of impurity nanostructures anddevelopmentof scalable photon devices

杂质纳米结构的局部光学响应和可扩展光子器件的开发

• 批准号: 21246052
• 负责人: KOJIMA Osamu
• 金额: $ 28.87万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21246052/
• 关键词: 窒素ペア; 励起子; 光子デバイス; GaAs; 不純物; アイソエレクトロニック発光; 光子放出

Electronic states of impurities doped in semiconductors are extremely uniform and can be treated as ideal QDs. Such QDs with the uniform electronic states enable to control the interaction between the exciton and photon, and, resultantly, the device performance will come to depend on the impurity density. We developed a novel technique of nitrogen delta-doping into GaAs and clarified the optical properties of the exciton fine structure bound to nitrogen pairs. Furthermore, we demonstrated that the precise control of the fine structure using magnetic field and a scalable change in the strength of the exciton-photon interaction.

半导体中掺杂的杂质的电子态极其均匀，可以视为理想的量子点。这种具有均匀电子态的量子点能够控制激子和光子之间的相互作用，因此，器件性能将取决于杂质密度。我们开发了一种将氮δ掺杂到GaAs中的新技术，并阐明了与氮对结合的激子精细结构的光学性质。此外，我们证明了利用磁场精确控制精细结构以及激子-光子相互作用强度的可扩展变化。

项目成果

Observation of phase shifts in a vertical cavity quantum dot switch

• DOI: 10.1063/1.3596704
• 发表时间: 2011-06
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: C. Jin;O. Kojima;T. Kita;O. Wada;M. Hopkinson

窒素を高密度デルタドープした GaAs の磁気光学特性

氮密集δ掺杂GaAs的磁光特性

• 发表时间: 2013
• 作者: 原田幸弘;山本益輝;馬場健;喜多隆
• 通讯作者: 喜多隆

Extremely Uniform Excitonic States in Nitrogen δ-Doped GaAs

氮 δ 掺杂 GaAs 中极其均匀的激子态

• 发表时间: 2012
• 作者: Y. Harada;and T. Kita
• 通讯作者: and T. Kita

Capping Layer Dependence of Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs

氮 δ 掺杂 GaAs 中束缚激子发光的覆盖层依赖性

• 发表时间: 2011
• 作者: W.Badalawa;H.Matsui;H.Tabata;Y.Harada
• 通讯作者: Y.Harada

Narrowband Ultraviolet Light Emitting Devices Using Rare-Earth Ions

使用稀土离子的窄带紫外线发光装置

• 发表时间: 2009
• 作者: 太田光貴;三谷昂大;兵頭彦次;佐藤良一;喜多隆
• 通讯作者: 喜多隆