Multimorphism observed in peculiar silicide semiconductors and its applications to materials science

特殊硅化物半导体中观察到的多态现象及其在材料科学中的应用

• 批准号: 21246101
• 负责人: INUI Haruyuki
• 金额: $ 29.95万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21246101/
• 关键词: 熱電変換材料; 無次元性能指数; ゼーベック係数; 電気伝導度; 熱伝導度; 微細組織; ラットリング; 透過電子顕微鏡法; 透過電子権顕微鏡法

The possibility for the improvement of thermoelectric properties of Ru silicide(Ru2Si3) has been investigated through controlling multimorphic nano-structures that are formed based on the variety of the arrangement of the Si sublattice. An attempt has also been made to establish a guiding principles for new materials search for better thermoelectric properties and the property improvement The multimorphic interface that is recently found to occur between a series of Chimney-Ladder compounds possesses an idealistic interface to scatter phonon but to transmit electrons, since the metal sublattice is kept the same across the interface but the periodicity of screw arrangement of Si atoms is different across the interface. The effectiveness of the multimorphic interface in improving the thermoelectric properties of Ru silicide-based materials was clearly shown by experiment.

研究了通过控制硅亚晶格排列变化而形成的多态纳米结构来改善Ru硅化物(Ru2Si3)热电性能的可能性。我们还试图为新材料寻求更好的热电性能和性能改进建立指导原则。最近发现的一系列烟囱-梯形化合物之间的多晶态界面具有理想的界面，既可以散射声子，又可以传输电子，因为金属亚晶格在界面上保持相同，但硅原子的螺旋排列在界面上的周期性不同。实验表明，多晶界面能有效地改善Ru硅化物基材料的热电性能。

项目成果

チムニーラダーシリサイドの構造制御と熱電特性

烟囱梯状硅化物的结构控制及热电性能

• 发表时间: 2010
• 作者: 岡本範彦;乾晴行
• 通讯作者: 乾晴行

Pressure induced Phase Transformation of Ba_8Ga_<16>Ge_<30> Clathrate Studied by X-Ray Diffraction and Raman Spectroscopy

X射线衍射和拉曼光谱研究Ba_8Ga_<16>Ge_<30>包合物的压力诱导相变

• 发表时间: 2010
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: 新垣優;友田陽;H.Inui
• 通讯作者: H.Inui

Crystal Structures and Thermoelectric Properties of Chimney-LadderCompounds in the Ru2Si3-Mn4Si7 Pseudobinary System

Ru2Si3-Mn4Si7 伪二元体系烟囱梯状化合物的晶体结构和热电性能

• 发表时间: 2009
• 期刊: Acta Materialia
• 影响因子: 9.4
• 作者: N. L. Okamoto;T. Koyama;K. Kishida;K. Tanaka and H. Inui
• 通讯作者: K. Tanaka and H. Inui

チムニーラダーシリサイドに存在する特異な界面と熱伝導

烟囱梯硅化物存在独特的界面和热传导

• 发表时间: 2010
• 作者: 横林秀幸;橋本裕;岡本範彦;足立大輝;岸田恭輔;田中克志;乾晴行
• 通讯作者: 乾晴行

HAADF-STEM法によるRe4Si7の結晶構造解析

使用 HAADF-STEM 方法分析 Re4Si7 晶体结构

• 发表时间: 2009
• 作者: 原田俊太;田中克志;岸田恭輔;岡本範彦;乾晴行;遠藤徳明;奥西栄治
• 通讯作者: 奥西栄治