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Integration of Si-based MEMS and GaN-based light emitting devices on Si(111) by low-temperature growth technique
通过低温生长技术在 Si(111) 上集成硅基 MEMS 和氮化镓基发光器件
基本信息
- 批准号：26870108
- 负责人：
- 金额：$ 2.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
伝導性バッファー層を用いたSi基板上へのGaN薄膜成長
使用导电缓冲层在 Si 衬底上生长 GaN 薄膜
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：篠塚 正之;綿引 康介;太田 実雄;金 惠蓮;上野 耕平;小林 篤;藤岡 洋
- 通讯作者：藤岡 洋
GaN薄膜成長におけるHfNバッファ層の検討
GaN薄膜生长中HfN缓冲层的考虑
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：篠塚 正之;太田 実雄;綿引 康介;金 惠蓮;上野 耕平;小林 篤;藤岡 洋
- 通讯作者：藤岡 洋
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- 作者：
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Jitsuo Ohta其他文献
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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小林篤，伊藤剛輝，上野耕平，太田実雄，藤岡洋
Analysi s of ITO/Mg:GaN interfaces by synch rotron radiation hard X-ray photoem ission spectroscopy and their elect rical characteristics
同步旋转辐射硬X射线光发射光谱分析ITO/Mg:GaN界面及其电学特性
- DOI：
- 发表时间：
2008 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Yasushi Toyoshima;Koji Horiba;Mas aharu Oshima;Jitsuo Ohta;Hiroshi Fujioka;Hisayuki Miki;Shigenori U eda;Yoshiyuki Yamashita;Hideki Yo shikawa;Keisuke Kobayashi - 通讯作者：
Keisuke Kobayashi
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硬 X 射线光电子能谱探索固体内部的电子态
- DOI：
- 发表时间：
2007 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Yasushi Toyoshima;Koji Horiba;Mas aharu Oshima;Jitsuo Ohta;Hiroshi Fujioka;Hisayuki Miki;Shigenori U eda;Yoshiyuki Yamashita;Hideki Yo shikawa;Keisuke Kobayashi;Yasushi Toyoshima;堀場弘司;堀場弘司 - 通讯作者：
堀場弘司
高移動度窒化物半導体の薄膜トランジスタ応用
高迁移率氮化物半导体薄膜晶体管应用
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Atsushi Kobayashi;Khe Shin Lye;Kohei Ueno;Jitsuo Ohta;and Hiroshi Fujioka;小林篤，上野耕平，太田実雄，藤岡洋 - 通讯作者：
小林篤，上野耕平，太田実雄，藤岡洋
Pulsed sputtering deposition of high-quality AlN on thermally-nitrided sapphire substrates
在热氮化蓝宝石衬底上脉冲溅射沉积高质量 AlN
- DOI：
- 发表时间：
2012 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kohei Ueno;Eiji Kishikawa;Shigeru Inoue;Jitsuo Ohta;Hiroshi Fujioka;Masaharu Oshima;and Hiroyuki Fukuyama - 通讯作者：
and Hiroyuki Fukuyama
Jitsuo Ohta的其他文献
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