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Integration of Si-based MEMS and GaN-based light emitting devices on Si(111) by low-temperature growth technique

Integration of Si-based MEMS and GaN-based light emitting devices on Si(111) by low-temperature growth technique
通过低温生长技术在 Si(111) 上集成硅基 MEMS 和氮化镓基发光器件
批准号：
26870108
负责人：
Jitsuo Ohta
金额：
$2.16万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26870108/
关键词：
GaNMEMSSiスパッタ

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伝導性バッファー層を用いたSi基板上へのGaN薄膜成長
使用导电缓冲层在 Si 衬底上生长 GaN 薄膜
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [篠塚 正之, 綿引 康介, 太田 実雄, 金 惠蓮, 上野 耕平, 小林 篤, 藤岡 洋]
通讯作者： 藤岡 洋
GaN薄膜成長におけるHfNバッファ層の検討
GaN薄膜生长中HfN缓冲层的考虑
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [篠塚 正之, 太田 実雄, 綿引 康介, 金 惠蓮, 上野 耕平, 小林 篤, 藤岡 洋]
通讯作者： 藤岡 洋
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海外基金
导航级MEMS陀螺能量损耗及其失配机理研究
  • 批准号：
    2026JJ50499
  • 项目类别：
    省市级项目
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    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
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  • 依托单位：
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基于MEMS惯性传感器的工业机器人标定与校正方法技术开发
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    王捍兵
  • 依托单位：
    常州机电职业技术学院
面向MEMS重力仪的低频噪声抑制关键技术研究
  • 批准号：
    JCZRQNB202600477
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
  • 依托单位：
    湖北光谷实验室
用于凝血和血小板功能检测的谐振式MEMS智能传感器研发
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    蔡先法
  • 依托单位：
    南京邮电大学