Site-selective analysis of cathodoluminescence of atoms/vacancies by using electron channeling effect
利用电子沟道效应对原子/空位阴极发光进行位点选择性分析
基本信息
- 批准号:26870271
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(9)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Site occupancy determination of a dopant substituting for multiple sites using beam-rocking TEM-EDX and statistical analysis
使用梁摇动 TEM-EDX 和统计分析确定替代多个位点的掺杂剂的位点占用率
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masahiro Ohtsuka;Shunsuke Muto;Kazuyoshi Tatsumi
- 通讯作者:Kazuyoshi Tatsumi
統計的ALCHEMI/HARECXS法を用いたZn添加W型フェライト中のZn占有サイト解析
使用统计 ALCHEMI/HARECXS 方法分析 Zn 掺杂 W 型铁氧体中的 Zn 占据位点
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:大塚真弘;武藤俊介;阿南義弘;小林義徳
- 通讯作者:小林義徳
統計的ALCHEMI法と動力学計算を組み合わせた添加元素占有サイトの定量評価
结合统计ALCHEMI方法和动力学计算对附加元素占据位点进行定量评估
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:大塚真弘;武藤俊介;市川貴浩;巽一厳
- 通讯作者:巽一厳
統計的ALCHEMI法を用いた占有サイト評価における各種実験条件の依存性
使用统计 ALCHEMI 方法评估占用场地时各种实验条件的依赖性
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:大塚真弘;武藤俊介
- 通讯作者:武藤俊介
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Ohtsuka Masahiro其他文献
Quantitative Atomic-Site Analysis of Functional Dopants/Point Defects in Crystalline Materials by Electron-Channeling-Enhanced Microanalysis
通过电子通道增强微量分析对晶体材料中的功能掺杂剂/点缺陷进行定量原子位点分析
- DOI:
10.3791/62015 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Ohtsuka Masahiro;Muto Shunsuke - 通讯作者:
Muto Shunsuke
アルミニウム合金とCFRTP積層板の異種接合の強度と破壊形態に及ぼす表面ナノ構造の影響
表面纳米结构对铝合金与CFRTP层合板异种接头强度和断口形貌的影响
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Yamada Taiki;Ohtsuka Masahiro;Takahashi Yoshimasa;Yoshino Haruhiko;Amma Shin-ichi;Muto Shunsuke;和田啓汰,大田宙起,齋藤慧,クリスティーン ムンク イエスパーセン,細井厚志,川田宏之 - 通讯作者:
和田啓汰,大田宙起,齋藤慧,クリスティーン ムンク イエスパーセン,細井厚志,川田宏之
Si/Cuマイクロ要素の界面剥離き裂発生強度則-界面端形状の影響-
Si/Cu微量元素界面分层裂纹萌生强度规律-界面边缘形状的影响-
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Yamada Taiki;Ohtsuka Masahiro;Takahashi Yoshimasa;Yoshino Haruhiko;Amma Shin-ichi;Muto Shunsuke;和田啓汰,大田宙起,齋藤慧,クリスティーン ムンク イエスパーセン,細井厚志,川田宏之;森井裕介,高橋可昌,宅間正則,齋藤賢一,佐藤知広 - 通讯作者:
森井裕介,高橋可昌,宅間正則,齋藤賢一,佐藤知広
Extension of focal depth by electron quasi-Bessel beam in atomic-resolution scanning transmission electron microscopy
原子分辨率扫描透射电子显微镜中电子准贝塞尔束焦深的扩展
- DOI:
10.35848/1882-0786/ac96ce - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Ishida Takafumi;Owaki Takeshi;Ohtsuka Masahiro;Kuwahara Makoto;Saitoh Koh;Kawasaki Tadahiro - 通讯作者:
Kawasaki Tadahiro
Measurement of nanoscale local stress distribution in phase-separated glass using scanning transmission electron microscopy-cathodoluminescence
使用扫描透射电子显微镜-阴极发光测量相分离玻璃中的纳米级局部应力分布
- DOI:
10.1016/j.mtla.2019.100578 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:3.4
- 作者:
Yamada Taiki;Ohtsuka Masahiro;Takahashi Yoshimasa;Yoshino Haruhiko;Amma Shin-ichi;Muto Shunsuke - 通讯作者:
Muto Shunsuke
Ohtsuka Masahiro的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Ohtsuka Masahiro', 18)}}的其他基金
Development of dopant environment analysis method using beam-rocking transmission electron microscopy
使用摇束透射电子显微镜进行掺杂环境分析方法的开发
- 批准号:
20K05088 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Extension of dopant occupation site analysis by electron channeling X-ray spectroscopy and electron diffraction mapping
通过电子通道 X 射线光谱和电子衍射图扩展掺杂剂占据位置分析
- 批准号:
18K13991 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
相似国自然基金
基于循证医学本体论的临床元数据语言研究
- 批准号:30972549
- 批准年份:2009
- 资助金额:24.0 万元
- 项目类别:面上项目
双原子分子高激发振转能级的精确研究
- 批准号:10774105
- 批准年份:2007
- 资助金额:35.0 万元
- 项目类别:面上项目
基于安全多方计算的抗强制电子选举协议研究
- 批准号:60773114
- 批准年份:2007
- 资助金额:28.0 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
Electronic structures beneath IV semiconductor surfaces probed by photoelectron and luminescence spectroscopies
通过光电子和发光光谱探测 IV 半导体表面下的电子结构
- 批准号:
22K04926 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Synergy effects of electronic/nuclear excitatiion and microstructure evolution in ceramic compounds
陶瓷化合物中电子/核激发和微观结构演化的协同效应
- 批准号:
19K05333 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
High-resolution integrated spatial/electronic structure analysis of localized functional defects by multi-dimensional spectroscopy with reciprocal space scanning
通过多维光谱与倒易空间扫描对局部功能缺陷进行高分辨率集成空间/电子结构分析
- 批准号:
26249096 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
ダイヤモンド薄膜結晶の電子帯構造と負性電子親和力
金刚石薄膜晶体的电子能带结构和负电子亲和势
- 批准号:
11875007 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
Selective Growth of GaN pyramids and study of their optical and electronic properties
GaN金字塔的选择性生长及其光学和电子特性的研究
- 批准号:
10450117 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).