高分子薄膜修飾半導体電極を用いた光情報記憶素子の開発
使用聚合物薄膜修饰半导体电极的光信息存储器件的开发
基本信息
- 批准号:62213004
- 负责人:
- 金额:$ 0.96万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
- 财政年份:1986
- 资助国家:日本
- 起止时间:1986 至 1987
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
当研究代表者は, 電極/溶液界面で起る電気化学的酸化・還元反応を利用する事により, 電気信号を光吸収変化に変換する素子(例えば, エレクトロクロミズム素子(FCD))を構築する事が可能である事を示した. さらに半導体/溶液界面を利用するならば, 光情報記憶素子(可逆的な)を作る事が可能であり, その可逆的光情報記憶素子の構築に必要な基礎的データー, 例えば, 薄膜中に固定された酸化・還元電位と半導体自身のエネルギーレベルの相対位置と素子応答性の関係を検討した.一方において, 本研究が提示している系で最も重要な素過程は電極/溶液(高分子薄膜)界面で起る電子移動反応である. この反応過程の理解なしには, 本系を実用レベルまで引き上げる事は不可能と思われる. 界面で起なわれる電子移動過程の分子・原子レベルでの理解には, 界面そのものの構造を原子レベルで解明する必要がある. このために, 本研究代表者は電気化学系用走査型トンネル顕微鏡を自作し, 各種金属イオンの電析, あるいは白金に代表される貴金属電極表面, 及び, 半導体電極表面のSTM測定を行い, 極めて重要な知見を得た.
When the representatives は, electrode/solution interface で 気 る electricity chemistry of acidification, also yuan against 応 を using す る matter に よ り, electric suction 収 を 気 signal light - the に variations in す る element child (example え ば, エ レ ク ト ロ ク ロ ミ ズ ム son (FCD)) を build す る could が で あ を る things in し た. さ ら に を semiconductor/solution interface using す る な ら ば, light intelligence memory element (reversible な) を son had done る が may で あ り, そ の reversible optical information memory element child constructs the に な necessary foundation の デ ー タ ー, example え ば, Film in に fixed さ れ た acidification, yuan potential と semiconductor itself also の エ ネ ル ギ ー レ ベ ル の phase position と element child 応 seaborne answer sex の masato is を beg し 検 た. Party に お い て, this study が prompt し て い る process is the most important な も で element は) (polymer film electrode/solution interface from で る electronic mobile anti 応 で あ る. こ の anti の 応 process understanding な し に は, the department を be used レ ベ ル ま で lead on き げ は る things impossible と think わ れ る. Interface で up な わ れ る electronic mobile process の molecules, atoms レ ベ ル で の understand に は, interface そ の も の の tectonic を atomic レ ベ ル で interpret す る necessary が あ る. こ の た め に, this study represent は electric 気 chemistry with a walkthrough type ト ン ネ ル 顕 micromirror を し since, various metal イ オ ン の electrode, あ る い は platinum に representative さ れ る precious metal electrode surface, and び, semiconductor electrode surface の STM measurement を い, extremely め て important な knowledge を た.
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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