陽電子消滅による金属基高分子材料及び細孔物質中の自由体積の研究
陽電子消滅による金属基高分子材料及び細孔物質中の自由体積の研究
批准号:
99F00261
负责人:
上殿 明良
金额:
$1.54万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2000
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2000 至 2001
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会议论文
III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
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批准号:23K21082
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$1.91万
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财政年份:2024
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负责人:上殿 明良
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依托单位:
A study of the activation mechanism of implanted impurities and control of point defect in group III nitrides
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批准号:21H01826
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.07万
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财政年份:2021
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负责人:上殿 明良
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依托单位:
陽電子消滅を用いた次世代メモリのための多層金属酸化物構造の研究
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批准号:06F06386
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2006
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负责人:上殿 明良
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依托单位:
低速陽電子線を用いた高温熱平衡状態におけるSiの点欠陥挙動解析
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批准号:11750567
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1999
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负责人:上殿 明良
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依托单位:
陽電子消滅を用いた高分子の分子構造の研究
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批准号:09750982
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1997
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负责人:上殿 明良
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依托单位:
ポジトロンを用いたシリコンの空孔-酸素複合体の研究
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批准号:07750722
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1995
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负责人:上殿 明良
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依托单位:
半導体の融点直下に於ける熱平衡欠陥の研究
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批准号:06750670
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1994
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负责人:上殿 明良
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依托单位:
陽電子消滅による原子炉材料の照射化機構の研究
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批准号:04750601
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1992
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负责人:上殿 明良
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依托单位: