低速陽電子線を用いた高温熱平衡状態におけるSiの点欠陥挙動解析

利用慢正电子束分析高温热平衡状态下硅的点缺陷行为

• 批准号: 11750567
• 负责人: 上殿 明良
• 金额: $ 1.47万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1999 至 2000
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-11750567/
• 关键词: 陽電子; Si; 格子欠陥; 熱平衡; SiC; 欠陥

序安価に大口径のSiC基板を製作する手法として,Si基板の炭化が着目されているが,良質なSiC膜を作るための条件が極めて限られていること,また炭化時のSi基板への欠陥導入等が大きな問題となっている.本研究では,低速陽電子を用いて,Si基板の炭化によってカーボン/Si界面近傍に導入される空孔型欠陥を検出し,Siの炭化過程を研究した.測定方法Cz-Si基板に室温で蒸着によりカーボン(C)膜を形成した.その後,低速陽電子ビームを用いて,試料温度(室温-1473K)を変化させながら陽電子消滅γ線ドップラー拡がりを測定した.また,1573Kから急冷及び徐冷した試料についても同様の測定を行うと共に,超短パルス低速陽電子ビームにより陽電子寿命測定を行った.結果C/Si試料のSパラメーターの陽電子打ち込みエネルギー(E)依存性を試料温度の関数として測定した.298Kでは,E=0-4 keVでSが一定値となった.これは,陽電子がC膜中で消滅しているためである.1173KではE〓5 keV付近でSが上昇するため,C/Si界面に空孔型欠陥が導入されたと判断した.TEMにより,界面にはピラミッド型の空孔(サイズは100nmオーダー)が導入されていることがわかったが,陽電子はむしろ界面近傍の点欠陥を検出していると考えられる.TEM,SIMSの結果も合わせて検討した結果,炭化と同時に,Si基板に空孔型欠陥の集合体が導入されることがわかった.これはSiC形成に伴い導入された歪に起因すると考えられる.

A series of large-caliber SiC substrates are used for mechanical testing, Si substrates are carbonized for high performance, high-quality SiC films are used for critical conditions, and carbonized Si substrates are used for critical problems such as poor performance. The purpose of this study is to study the process of carbonization of Si substrates for low-speed electronic devices, and the interface of Si substrate for carbonization and low-speed photovoltaics. The results show that the interface of Si substrate is close to that of low-speed photovoltaic devices. Determination method Cz-Si substrate is steamed at room temperature to form a (C) film. After that, the low-speed battery is used at the temperature of room temperature (room temperature-1473K). At 1573K, the quench and cooling materials are in the same line as each other, and the ultra-short cycle is used to measure the life of the low-speed electric power plant. Results the temperature temperature of C/Si was measured at 298K, and the temperature of E-dependent temperature was measured at 298K. The temperature of E-4 keV must be affected. In the electric power plant C film, the electronic equipment is used. At 1173K, the E

项目成果

A.Uedono: "A study of vacancy-type defects introduced by the carbonization of Si by monoenergetic positron beams"J.Appl.Phys. (accepted for publication).

A.Uedono：“单能正电子束碳化硅引入的空位型缺陷的研究”J.Appl.Phys。