Elementarprozesse an Halbleiter/Elektrolyt-Grenzflächen am Beispiel der Farbstoff-Injektionszelle: UHV-Methoden nach Emersion und in Modellexperimenten im systematischen Vergleich

以染料注射池为例的半导体/电解质界面的基本过程：浮现后的 UHV 方法和模型实验中的系统比较

• 批准号: 5112924
• 负责人: Professor Dr. Wolfram Jaegermann
• 金额: --
• 依托单位: Fachgebiet Oberflächenforschung
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1997-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5112924?language=en
• 关键词: Elementarprozesse; Halbleiter; Elektrolyt; Grenzfl; chen

Die Elementarprozesse an Halbleiter/Elektrolyt-Grenzflächen wie Kontaktbildung und Grenzflächenreaktionen sollen mittels UHVMethoden untersucht werden. Die systematische Kombination von Emersionsexperimenten und Modellexperimenten soll eindeutige Informationen über die Struktur und Elektronenstruktur der Phasengrenze und ihren Einfluß auf die Ladungstransferschritte und Grenzflächenreaktionen liefern. Als UHV-Methoden werden vorwiegend Photoelektronenspektroskopie und Elektronenbeugung eingesetzt, die durch elektrische und optische Meßverfahren ergänzt werden. In Erweiterung der bisherigen Experimentiermöglichkeiten soll auch der Transfer von gekühlten Proben mit definierten Elektrolytschichten ('frozen electrolytes') getestet und entwickelt werden. Aufbauend auf den bisherigen Ergebnissen, in denen nach Aufbau der experimentellen Infrastruktur u.a. auch unter Ausnutzung von Synchrotronstrahlung vorwiegend das Adsorptionsverhalten und Ätzprozesse von GaAs Oberflächen im Kontakt zum Elektrolyten untersucht wurden, sollen im folgenden insbesondere grundlegende Fragestellungen zu den elektronischen Eigenschaften von Halbleiter/Elektrolyt-Kontakten wie Kontaktpotentialverteilung, Elektrolyt-Zustandsdichten und Solvatationsphänomene untersucht werden. Dazu sollen chemisch stabile Halbleitersubstrate wie Oxide und Schichtgitterchalkogenide als Substate verwendet werden. Als elektronisch aktive Redoxzentren sollen Farbstoffe und Farbstofflösungen sowie Farbstoff-Solvens Koadsorptionssysteme untersucht werden. Als Zielsetzung ist die Aufklärung der elektronischen Struktur der Phasengrenze von Farbstoff-Injektionssolarzellen vorgesehen.

半导体/电致发光元件的基本过程与接触培养和发光反应有关，因此必须使用UHV方法进行韦尔登。系统化的Emersionsexperimenten和Modellexperimenten的组合解决了一个关于相位的结构和电子结构的信息问题，并影响了激光传输和重力场的反应。采用超高压韦尔登光电子光谱和电子成像方法，通过电子和光学方法进行韦尔登成像。在Erweiterung der bisherigen Experimentiermöglichkeiten soll auch der Transfer von gekühlten Proben mit definierten Elektrolytschichten（“冷冻电解质”）getestet und entwickelt韦尔登.在美国的实验性建筑物的建造之后，建造了一个更大的工程。在同步辐射的作用下，GaAs Oberflächen在接触电解质时的吸附和溶解过程也会发生变化，因此可以将碎片分解成半导体/接触电解质的电子本征值，这与接触电位、接触电解质和溶解度有关，这是韦尔登的结果。以氧化物和Schichtgitterchalkogenide作为韦尔登基质，制备了化学稳定的Halbleiter基质。所有电子活性氧化还原都是由Farbstoffe和Farbstofflösungen驱动的，因此Farbstoff-Solvens Koadsorptionssysteme是有效的。Als Zielsetzung is die Aufklärung der elektronischen Struktur der Phasengrenze von Farbstoff-Injektionsolarzellen vorgesehen.