Quasi-van der Waals-Epitaxie-Pufferschichten zur Deposition gitterfehlangepasster Verbindungshalbleiter auf Silizium

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Ziel des Antrags ist die Erschließung eines neuen Konzepts zur Deposition gitterfehlangepaßter optoelektronisch aktiver Verbindungshalbleiter auf Siliziumsubstraten unter Verwendung von quasi-van der Waals-Epitaxie-Pufferschichten der Schichtgitterchalkogenide (SG). Es sollen im Rahmen dieses Projekts epitaktische Schichten eines II-VI Halbleiters (insbesondere ZnSe) auf SG-Pufferschichten auf Siliziumsubstraten präpariert (Si/SG/II-VI) und hinsichtlich ihrer Verwendbarkeit für die Photonik untersucht werden. Dazu sollen van der Waals-artig terminierte Si-Oberflächen mit einer ultradünnen epitaktischen (7-30A) SG-Pufferschicht versehen werden, auf der dann die II-VI Halbleiterschichten epitaktisch abgeschieden werden. Als Abscheidetechniken werden UHV-Verfahren wie MBE verwendet. Der Einfluß der Abscheidebedingungen auf die strukturellen und morphologischen Eigenschaften der Schichten und Grenzflächen soll untersucht und hinsichtlich der resultierenden optoelektronischen Eigenschaften für die Verwendung in der Photonik optimiert werden. Die optoelektronische Aktivität der abgeschiedenen Schichtsysteme soll am Ende durch ein einfaches Bauelement (Photodetektor, LED) demonstriert werden.