Quasi-van der Waals-Epitaxie-Pufferschichten zur Deposition gitterfehlangepasster Verbindungshalbleiter auf Silizium

用于在硅上沉积晶格失配化合物半导体的准范德华外延缓冲层

• 批准号: 5206802
• 负责人: Professor Dr. Wolfram Jaegermann
• 金额: --
• 依托单位: Fachgebiet Oberflächenforschung
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5206802?language=en
• 关键词: Quasi; van; der; Waals; Epitaxie

Ziel des Antrags ist die Erschließung eines neuen Konzepts zur Deposition gitterfehlangepaßter optoelektronisch aktiver Verbindungshalbleiter auf Siliziumsubstraten unter Verwendung von quasi-van der Waals-Epitaxie-Pufferschichten der Schichtgitterchalkogenide (SG). Es sollen im Rahmen dieses Projekts epitaktische Schichten eines II-VI Halbleiters (insbesondere ZnSe) auf SG-Pufferschichten auf Siliziumsubstraten präpariert (Si/SG/II-VI) und hinsichtlich ihrer Verwendbarkeit für die Photonik untersucht werden. Dazu sollen van der Waals-artig terminierte Si-Oberflächen mit einer ultradünnen epitaktischen (7-30A) SG-Pufferschicht versehen werden, auf der dann die II-VI Halbleiterschichten epitaktisch abgeschieden werden. Als Abscheidetechniken werden UHV-Verfahren wie MBE verwendet. Der Einfluß der Abscheidebedingungen auf die strukturellen und morphologischen Eigenschaften der Schichten und Grenzflächen soll untersucht und hinsichtlich der resultierenden optoelektronischen Eigenschaften für die Verwendung in der Photonik optimiert werden. Die optoelektronische Aktivität der abgeschiedenen Schichtsysteme soll am Ende durch ein einfaches Bauelement (Photodetektor, LED) demonstriert werden.

Ziel des Antrags ist die Erschließung eines neuen Konzepts zur Deposition gitterfehlangepaßter光电合成器verindungshalbleiter auf silizium substrate在Verwendung von准范德华外延- pufferschichten der schichtitterchalkogenide （SG）。[1][1][1][1][1][1][1][1][1][2][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1]。大族sollen van der wales -artig terminierte Si-Oberflächen mit einer ultraden epitaktischen (7-30A) SG-Pufferschicht versehen werden, auf der dann die II-VI Halbleiterschichten epitaktisch abgeschieden werden。alabscheidetechniken werden UHV-Verfahren wmbe verwendet。Der EinflußDer Abscheidebedingungen死strukturellen汪汪汪和morphologischen Eigenschaften Der层和Grenzflachen soll后untersucht和hinsichtlich Der resultierenden optoelektronischen Eigenschaften毛皮死在Der Verwendung Photonik optimiert了。Die optoelekonische Aktivität der abgeschiedenschichtsysteme soll and Ende durch ein einfaches Bauelement（光电探测器，LED）演示。