Züchtung großer Galliumorthophosphat- (GaPO4-)Einkristalle aus phosphorsäurereicher Lösung unter hydrothermalen Bedingungen

在水热条件下从富含磷酸的溶液中生长大型正磷酸镓（GaPO4）单晶

• 批准号: 5115318
• 负责人: Privatdozent Dr. Ralph-Uwe Barz
• 金额: --
• 依托单位: Sektion Kristallographie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1997-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5115318?language=en
• 关键词: chtung; gro; er; Galliumorthophosphat; GaPO4

Galliumorthophosphat (GaPO4) gilt aufgrund seiner Eigenschaften als attraktives Material für den Aufbau piezoelektronischer Bauelemente im Bereich der Oberflächenwellen-Filter und der Hoch-Temperatur-Drucksensorik. Der Einsatz von GaPO4-Einkristalle für die genannten Anwendungsgebiete ist an hohe Anforderungen bezüglich ihrer strukturellen und chemischen Perfektion geknüpft, wobei insbesonders die sehr häufig auftretende Inversions-Zwillingsbildung ein noch ungelöstes Problem darstellt. Im Rahmen des Projekts erfolgt die Einkristallzüchtung unter hydrothermalen Bedingungen aus phosphorsäurereicher Lösung im Temperaturbereich der retrograden Löslichkeit. Aus der begleitenden Charakterisierung der Realstruktur wird auf den Einfluß der Züchtungsparameter auf die entstandenen Defekte geschlossen. Die Anpassung des Materialtransports in der Lösung an die individuelle Wachstumsrate der jeweiligen zum Wachstum angebotenen Fläche, die durch die Einbaukinetik limitiert wird, ist die Grundlage für eine weitere Verbesserung der strukturellen Perfektion der GaPO4-Kristalle.

正磷酸镓（GaPO 4）是一种具有高性能的压电元件的吸波材料，适用于上表面滤波器和高温传感器。GaPO4-Einkristalle für die genannten Anwendungsgebiete is an hohe Anforderungen bezüglich ihrer strukturellen and chemischen Perfektion geknüpft，wobei insonsers die sehr häufig aufretende Inversions-Zwillingsbildung ein noch ungelöstes Problem darstellt. Im Rahmen des Projekts erfolgt die Einkristallzüchtung unter hydrothermalen Bedingungen aus phosphorsäurereicher Lösung im Temperaturbereich der retrograden Löslichkeit.由于实际结构的固有特性将影响Züchtungsparameters对现有缺陷的影响。Lösung的材料运输和珠宝首饰的个别Wachstum angebotenen Fläche的Wachstumstumsrate，通过Einbaukinetik limitiert wird，是GaPO 4-Kristalle结构完善的基础。