Nachweis von Andreev-Niveaus in Nb/2DEG Josephson-Kontakten

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In dem Folgeprojekt soll der Einfluß von injizierten Elektronen auf den Suprastrom in ballistischen Nb-InGaAs/InP-Nb JosephsonKontakten weiter untersucht werden. Ziel ist es, gebundene Andreev-Niveaus direkt nachzuweisen. Die Kontakte sollen dabei eine nur geringe Breite (kleiner/gleich 1µm) haben, um so eine Aufweichung des Andreev-Spektrums zu vermeiden. Die Besetzung der Andreev-Niveaus soll mittels eines Punktkontakt-Injektors erfolgen. Neben den ursprünglich verwendeten Injektoren sollen innerhalb des Folgeprojektes auch metallische Split-Gate-Punktkontakte zum Einsatz kommen. Die Injektion der Ladungsträger in den Nb-InGaAs/InP-Nb Josephson-Kontakt sollte eine Veränderung des kritischen Stromes zur Folge haben, die direkte Rückschlüsse auf die Verteilung der Andreev-Niveaus zulassen sollte. Die gemessenen Daten werden anschließend mit einem theoretischen Modell verglichen, welches den Einfluß der Besetzung der Andreev-Niveaus auf den kritischen Strom beschreibt.