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化合物半導体のショットキバリア及びMIS構造の表面準位に関する研究

化合物半導体のショットキバリア及びMIS構造の表面準位に関する研究
化合物半导体肖特基势垒表面态及MIS结构研究
批准号：
X00040----121125
负责人：
大坂 之雄
金额：
$2.24万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1976
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1976 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00040----121125/
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Si上のZro_2膜へのasーgrown高温超伝導膜の形成と超伝導素子への応用
  • 批准号：
    03210224
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    大坂 之雄
  • 依托单位：
    Hiroshima University
プラズマCVD法による立方晶BN膜形成への表面反応制御
  • 批准号：
    02214218
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    大坂 之雄
  • 依托单位：
    Hiroshima University
Si上のZrO_2膜へのasーgrown高温超伝導膜の形成と超伝導素子への応用
  • 批准号：
    02226223
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.73万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    大坂 之雄
  • 依托单位：
    Hiroshima University
Si上のZrO_2膜上のasーgrown高温超伝導膜の形成と超伝導素子への応用
  • 批准号：
    01644523
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.6万
  • 财政年份：
    1989
  • 负责人：
    大坂 之雄
  • 依托单位：
    Hiroshima University