プラズマCVD法による立方晶BN膜形成への表面反応制御

等离子体CVD法立方BN成膜的表面反应控制

• 批准号: 02214218
• 负责人: 大坂 之雄
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Hiroshima University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02214218/
• 关键词: 立方晶BN膜; プラズマCVD; 表面反応制御

プラズマCVD法による立方晶BN膜形成は,通常,高励起のプラズマを用いて達成されていたが,我々は,立方晶BN形成の基本的製作因子は,基板に適用する負のセルフ・バイアスであることを見出していた。本年度は,この点をくわしく,プラズマ状態のプロ-ブ法による同定を併用して,BN膜の成長機構を吟味した。主要な結論は,次の如くまとめられる。1.基板をプラズマポテンシャルより正電位にし,正イオン電流が基板に達しない条件では,六方晶BNのみが形成される。これにより、六方晶BNを形成するラヂカル種は、電子励起によって生じたものである。2.基板を負のセルフ・バイアスにして,正イオン電流を基板に到達させると、立方晶BNの形成が始る。このことより、立方晶BNの形成は、イオン電流により生ずるラヂカル種またはイオン種による。立方晶BN膜の堆積は、イオン電流によるエッチング作用との競合で生じる。立方晶BNのイオン電流による正味の堆積速度は、イオン電とより相関を示し、またイオン電流についての閥居値を要求しない。この後者の点は、立方晶BNが六方晶BNのイオン電流による改質で生じるとする考へ方を否定する。3.この方法を、炭素膜の石墨とダイヤモンドの作製に利用するためには、ダイヤモンドの形成に寄与する電子励起のラヂカル種を何らかの方法で消去せねばならぬ。このラヂカル種を消去するガス分子の同定が、その意味で切に望まれる。

プ ラ ズ マ CVD method に よ る cubic BN film forming は, usually, since Gao Li の プ ラ ズ マ を with い て reached さ れ て い た が, I 々 は, cubic BN form は の basic production factors, substrate に applicable す る negative の セ ル フ · バ イ ア ス で あ る こ と を shows し て い た. This year は こ の point を く わ し く, プ ラ ズ マ state の プ ロ ブ method に よ る with fixed を and し て, BN film の growth institutions を recite with relish し た. The main な conclusion な, and the secondary な are as follows: くまとめられる. 1. Substrate を プ ラ ズ マ ポ テ ン シ ャ ル よ り are potential に し, are イ オ ン が substrate current に da し な い conditions で は, hexagonal BN の み が form さ れ る. <s:1> れによ れによ, hexagonal crystal BNを forms するラヂカ を kinds of, and electron excitation によって generates じた れによ である である. 2. The substrate を negative の セ ル フ · バ イ ア ス に し て, are イ オ ン を substrate current に reach さ せ る と, cubic BN が beginning る の formation. The とよ とよ, the cubic crystal BN <e:1> forms, and the <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> によ current によ によ generates ずるラヂカ また kinds of また <s:1> and による kinds of による kinds of による. The <s:1> stacking of cubic crystal BN films and the <s:1> <s:1> current によるエッチ グ グ interact with グ グ と to form と and で to generate じる. Cubic BN の イ オ ン current に よ る flavors の stacking velocity は, イ オ ン electric と よ り phase masato を し, ま た イ オ ン current に つ い て の valve in numerical を し な い. <s:1> the latter <s:1> point, cubic crystal BNが hexagonal crystal BN <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> current による modification で generation じるとする examination へ square を negation する. 3. こ の way を の graphite, carbon membrane と ダ イ ヤ モ ン ド の cropping に using す る た め に は, ダ イ ヤ モ ン ド の に send and す る electronic wound up の ラ ヂ カ ル what kind of を ら か の way で elimination せ ね ば な ら ぬ. The elimination of するガス molecules by <s:1> ラヂカ ラヂカ を means が and そ, which implies で cut に and まれる.

项目成果

大坂 之雄: "Characterization of BN Thin Films reposited by Plasma CVD" Material Science Forum. 54&55. 277-294 (1990)

Yukio Osaka：“等离子体 CVD 沉积的 BN 薄膜的表征”材料科学论坛 54&55 (1990)。

岡本 雅樹: "Formation of cubic Boron Nitride Films on Diamond by Plasma CVD Technique" Japanese Journal of Applied Physics. 29. L1004-L1006 (1990)

Masaki Okamoto：“通过等离子体 CVD 技术在金刚石上形成立方氮化硼薄膜”，《日本应用物理学杂志》29。L1004-L1006 (1990)。

横山 春喜: "Effects of a Negative SelfーBias on the growth of Cubic Boron Nitride Prepared by Plasma chemical Vapor Reposition" Japanese Journal of Applied Physics. 30. 344-348 (1991)

Haruki Yokoyama：“负自偏压对等离子体化学气相再定位制备的立方氮化硼生长的影响”《日本应用物理学杂志》30. 344-348 (1991)。