Einkristallzüchtung und Charakterisierung von elektronisch eindimensionalen Übergangsmetallverbindungen

电子一维过渡金属化合物的单晶生长和表征

• 批准号: 5162388
• 负责人: Professor Dr. Wolf Aßmus
• 金额: --
• 依托单位: Physikalisches Institut
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5162388?language=en
• 关键词: Einkristallz; chtung; und; Charakterisierung; von

In diesem Teilprojekt sollen Einkristalle für die Arbeitsgruppen des Schwerpunktprogrammes gezüchtet werden. Voraussetzung für die Kristallzüchtung ist zunächst die Präparation geeigneter Ausgangschargen. Für die Züchtung selbst müssen Kristallzüchtungsmethoden auf ihre Eignung für die speziellen Materialien überprüft werden bzw. spezielle, dem Material angepaßte, Verfahren entwickelt werden. Wir möchten einige Materialien in einkristalliner Form züchten. Durch Dotieren dieser Materialien während der Züchtung planen wir die physikalischen Eigenschaften gezielt zu verändern. Neben der Kristallzüchtung erfolgt in diesem Projekt auch eine Probencharakterisierung. Hierzu verwenden wir Röntgenpulverdiffraktometrie im Temperaturbereich 10K-3000K, Röntgenfluoreszenz, AC-Suszeptibilität und elektrische Leitfähigkeit, Rasterelektronenmikroskopie mit energie- und wellenlängendispersiver Röntgenanalyse sowie simultane Thermoanalyse. Mit dieser Ausrüstung sind wir in der Lage, auch die Kompositions-Phasendiagramme unserer Systeme zu bestimmen, was für die Kristallzüchtung sehr wichtig ist.

In diesem Teilprojekt sollen Einkristalle f<e:1> r die arbeitsgrouppen des Schwerpunktprogrammes gezzchtetewerden。Voraussetzung fr die kristallz<e:1> chtung ist zunächst die Präparation geeigneter Ausgangschargen。(1) <s:1>模具制造<e:1> <s:1>晶体制造<e:1>方法；(3)材料制造技术；(4)材料制造技术；(3)材料制造技术；spezielle, dem Material angepaßte, Verfahren entwickelt werden。Wir möchten einige材料在油墨晶体形式z<e:1> chten。材料学与材料学：während der z<e:1>，材料学与材料学，材料学与材料学，材料学与材料学Neben der kristallzchtung erfolt in diesem project，每一个问题特征分析。Hierzu verwenden wir Röntgenpulverdiffraktometrie im temperature - bereich 10K-3000K, Röntgenfluoreszenz， AC-Suszeptibilität和elektrische Leitfähigkeit， Rasterelektronenmikroskopie mit能源和wellenlängendispersiver Röntgenanalyse sowie同时热分析。德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国