Molekularstrahlepitaxie von III-Nitriden: Herstellung und Charakterisierung von GaN-GaAlN-InGaN Quantum Well Strukturen

III 族氮化物的分子束外延：GaN-GaAlN-InGaN 量子阱结构的制造和表征

• 批准号: 5169526
• 负责人: Professor Dr. Klaus Lischka
• 金额: --
• 依托单位: Fakultät für Naturwissenschaften
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5169526?language=en
• 关键词: Molekularstrahlepitaxie; von; III; Nitriden; Herstellung

Ziel der Projektarbeit ist die Herstellung eines Separate Confinement Heterostructure-Laserresonators aus c-III-Nitriden. Der Resonator soll in Ridge-Geometrie ausgeführt werden. Die Spiegelflächen sollen durch Spalten hergestellt werden. Basis der Laserstruktur sind GaN-Schichten, die als Lichtleiterschichten dienen. Diese werden begrenzt durch AlGaN-Schichten. Die Rekombination der Elektron-Lochpaare findet in einer Quantum Well-Struktur aus InGaN-Schichten mit unterschiedlichem In-Gehalt statt. Zur Erreichung des Forschungszieles wird die Molekularstrahlepitaxie von c-InGaN und c-AlGaN in Bezug auf die Homogenität, die Minimierung der Oberflächenrauhigkeit sowie die Reduktion der Dichte von ausgedehnten Defekten in den Schichten optimiert. Die Epitaxie der Schichtstrukturen wird auf 2 Substraten, GaAs(001) und c-SiC/Si-Hybridstrukturen durchgeführt. Die optischen und strukturellen Eigenschaften der Schichten und Schichtstrukturen wird mit Photolumineszenz, Kathodolumineszenz, Atomic Force-Mikroskopie sowie hochauflösender Röntengenbeugung untersucht. In Zusammenarbeit mit anderen Gruppen, die am Forschungsschwerpunkt beteiligt sind, soll darüber hinaus die optische Verstärkung und die spektral aufgelöste stimulierte Emission aus durch Spalten hergestellte Resonatorstrukturen sowie der Brechungsindex und das Reflexionsvermögen der Schichten aus Reflexionsmessungen und mit spektral aufgelöster Ellipsometrie bestimmt werden.

齐尔的项目是赫斯泰隆的分离限制异质结构-激光谐振器AUS c-III-氮化。Der共振器在脊形几何中的绝缘体被发现。《明镜》杂志报道了他的观点。根据Laserstrukut sind Gan-Schichten，以及Lichtleiterschichten dienen。在阿尔甘-施希顿病期间，他的病很严重。Elektron-Lochpaare在einer量子井-StrukturAus InGaN-Schichten MIT Unterschiedlicem in-Gehalt统计中发现了重组。我们将在同质化的基础上发展更多的技术和技术，在更好的条件下实现最小的目标。Schichtstructuren外延衬底为AuF_2衬底，GaAs(001)和c-SiC/Si-Hybridge structuren。光与光的关系，光与光的关系，原子力与光的关系。在MIT和Gruppen的Zusammenarbeit，die am forschungsschwerpukt be eiligt sind，soll darüber hinaus die optische Verstärkung and die Spektral aufelöste actuierte Emit Aus duch Spalten Hergellte Resonator strukturen Sowie der Brechungsindex and das Refleion svermögen der Schichten Aus Refleion svermögen and MIT Spektral aufelöste Ellipsstimden.