Diagnostik von mit Elektronencyclotron-Resonanz angeregten Höchstdichte-Plasmen und ihre Wechselwirkung mit Metallen und III/V-Halbleitern

在具有电子谐振（ECR）效应的静态磁场韦尔登中，由Mikrowellen提供的补偿使等离子体在工业上得到补偿。Die so generierten Plasmen reaktiver Gase韦尔登werden in der Mikrostrukturtechnik zur reaktiven Trockenstrukturierung unter Freisetzung flüchtiger Verbindungen eingesetzt（RIE -反应离子蚀刻）. Zur Bestimmung zahlreicher Charakteristika dieser Festkörperreaktionen，für die das synergetische Verhalten physikalischer und chemischer Effekte typisch ist，ist es notwendig，die Reaktivität des Plasmas zu kennen，die durch eine Reihe von Plasmakenngrößen wie die Plasmakente und Temperatur der Elektronen bestimmt wird.这是一种用于磁性等离子体反应气体，如氯和三氯硼，并使其不被检测到，使其吸收ECR区和基质。这些项目是很大的，这些参数和对金属基底反应动力学的影响，但也包括III/V Halbleitern。这样的惯性数据韦尔登可以通过一个具有高强度等离子体模型的结构模拟来实现。

Durch Einkopplung von Mikrowellen in Anwesenheit eines statischen Magnetfeldes werden mit dem Effekt der Elektronencyclotronresonanz (ECR) bedeutend höhere Plasmadichten als bei induktiver Kopplung erreicht. Die so generierten Plasmen reaktiver Gase werden in der Mikrostrukturtechnik zur reaktiven Trockenstrukturierung unter Freisetzung flüchtiger Verbindungen eingesetzt (RIE - Reactive Ion Etching). Zur Bestimmung zahlreicher Charakteristika dieser Festkörperreaktionen, für die das synergetische Verhalten physikalischer und chemischer Effekte typisch ist, ist es notwendig, die Reaktivität des Plasmas zu kennen, die durch eine Reihe von Plasmakenngrößen wie die Plasmadichte und Temperatur der Elektronen bestimmt wird. Diese sind aber für magnetisierte Plasmen reaktiver Gase wie Chlor und Bortrichlorid und insbesondere ihrer Gemische weitgehend unbekannt, insbesondere ihre örtliche Abhängigkeit zwischen ECR-Zone und Substratniveau. Ziel dieses Projektes ist es daher, diese Parameter und deren Einfluss auf die Reaktionskinetik von metallbeschichteten Substraten, aber auch von III/V-Halbleitern, zu untersuchen. Die so erhaltenen Inertialdatensätze werden mit einem Programm zur Simulation der Strukturierung mit hochreaktiven Plasmen modelliert.