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1〜1.7μm波長帯における半導体レーザおよび能動光回路素子の研究

1〜1.7μm波長帯における半導体レーザおよび能動光回路素子の研究
1-1.7μm波段半导体激光器及有源光路元件研究
批准号：
X00040----321015
负责人：
古川 静二郎
金额：
$4.35万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1978
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1978 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00040----321015/
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ヘテロ成長におけるロ-テ-ショナル・ツイン生成機構の解明とその制御
  • 批准号：
    03243213
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    古川 静二郎
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御
  • 批准号：
    04227213
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    古川 静二郎
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
表面光吸収法を用いたその場観察による電子ビーム表面改質エピタキシーの機構解明
  • 批准号：
    03650248
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    古川 静二郎
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
無ひずみシリコン系ヘテロ接合の新しい作製手法とその超高速素子への応用
  • 批准号：
    02452075
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $4.8万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    古川 静二郎
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology