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長波長帯光通信システム用発光・受光素子としての化合物半導体へテロ接合界面の研究

長波長帯光通信システム用発光・受光素子としての化合物半導体へテロ接合界面の研究
化合物半导体异质结界面作为长波长光通信系统发光和受光元件的研究
批准号:
X00090----355014
负责人:
岩見 基弘
金额:
$1.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1978
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1978 至 --
关键词:

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半導体表面での個々の原子・クラスターの配置・電子状態
  • 批准号:
    07225213
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $0.96万
  • 财政年份:
    1995
  • 负责人:
    岩見 基弘
  • 依托单位:
薄膜・界面形成の基礎
  • 批准号:
    07355014
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
  • 资助金额:
    $1.41万
  • 财政年份:
    1995
  • 负责人:
    岩見 基弘
  • 依托单位:
半導体表面上での個々の金属原子・クラスターの化学結合状態
  • 批准号:
    06236219
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.15万
  • 财政年份:
    1994
  • 负责人:
    岩見 基弘
  • 依托单位:
電子・光子分光法による金属ー半導体界面合金化過程および電子状態の研究
  • 批准号:
    03216105
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.41万
  • 财政年份:
    1991
  • 负责人:
    岩見 基弘
  • 依托单位: