長波長帯光通信システム用発光・受光素子としての化合物半導体へテロ接合界面の研究
長波長帯光通信システム用発光・受光素子としての化合物半導体へテロ接合界面の研究
批准号:
X00090----355014
负责人:
岩見 基弘
金额:
$1.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1978
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1978 至 --
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会议论文
半導体表面での個々の原子・クラスターの配置・電子状態
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批准号:07225213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1995
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负责人:岩見 基弘
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依托单位:
薄膜・界面形成の基礎
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批准号:07355014
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1995
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负责人:岩見 基弘
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依托单位:
半導体表面上での個々の金属原子・クラスターの化学結合状態
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批准号:06236219
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1994
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负责人:岩見 基弘
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依托单位:
電子・光子分光法による金属ー半導体界面合金化過程および電子状態の研究
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批准号:03216105
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1991
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负责人:岩見 基弘
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依托单位:
電子・光子分光法による金属ー半導体界面合金化過程および電子状態の研究
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批准号:02232105
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1990
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负责人:岩見 基弘
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依托单位:
(光)電子分光法による金属-半導体界面合金化過程の研究
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批准号:01650005
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1989
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负责人:岩見 基弘
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依托单位:
チャンネリング-ブロッキング法による金属-半導体界面の原子的構造の精密決定
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批准号:61212015
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1986
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负责人:岩見 基弘
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依托单位:
混晶半導体ヘテロ接合界面の原子的構造と電子状態の解明とその関連
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批准号:61214006
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1986
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负责人:岩見 基弘
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依托单位:
混晶半導体ヘテロ接合界面の原子構造と電子状態の解明とその関連
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批准号:60222028
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1985
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负责人:岩見 基弘
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依托单位:
高融点半導体BDを用いた光電変換素子の基礎研究
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批准号:X00090----155004
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1976
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负责人:岩見 基弘
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依托单位: