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(光)電子分光法による金属-半導体界面合金化過程の研究

（光）电子能谱研究金属-半导体界面合金化过程

基本信息

批准号：
01650005
负责人：
岩見基弘
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Okayama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

筆者らはこれまでに金属-半導体の系に於て界面合金化が起こる現象は金属原子の初期吸着段階での吸着金属原子と基板半導体との間の化学結合の性質に左右される可能性を示唆する結果を得、この現象の機構の解明には温度をパラメータとした測定が必要不可欠であることを明らかにしている。本研究では、上記のような現象解明の視点に立って、電子状態と構造の変化を(光)電子分光法等により温度と被覆率をパラメーターとして調べ、金属-半導体界面での界面合金化機構を明らかにし、それらの情報をもとに、界面反応の抑制と制御の条件を明らかにすることを目的としている。本年度は申請の設備備品費を用いて試料冷却装置を作製した。それを用いて清浄Si(III)表面へのMn原子吸着過程をオージェ電子分光法(AES)、電子エネルギー損失分光法(EELS)、および、低速電子回折(LEED)により調べ、合金化が初期には化学結合モデルに従い、その後スクリーニングモデルに従うという新しい形で進むことを示す結果を得た。また、光(軟X線)分光法によるNi(またはCo)シリサイド-Si(III)接合の表面(層)・界面の電子状態および原子構造の研究を行った。Si L_<2,3>軟X線スペクトルにはNi-シリサイドの場合フェルミ準位(E_f)付近に鋭いピークが観測され、これはSiのS電子状態に対応するものと結論された。これは従来広く認められてきた解釈に変更を迫る新しい知見である。Co-シリサイドではE_F付近の信号はNi-シリサイドほど顕著ではないが、やはりE_F付近にSi s電子状態の存在を示す新しい結果を得た。また、Si L_<2,3>スペクトルがシリサイドとシリコンとで異なることを用いて軟X線分光法によるシリサイド/シリコン接合界面の非破壊分析が可能であることを示した。

The author is responsible for the metal-semiconductor system and the phenomenon of interfacial alloying. The initial adsorption stage of metal atoms. The adsorption of metal atoms and the chemical bonding between substrates and semiconductors. The nature, the possibility, the indication, the result, the mechanism of the phenomenon, the explanation It is necessary to measure the temperature of the temperature. It is necessary to measure the temperature. The purpose of this study is to explain the phenomenon described above, the viewpoint of explanation, and the electronic state and structure. Chemical (photo)electron spectroscopy, etc., temperature and coverage ratio, をパラメーターとして Adjustment, Metal-semiconductor interface and interface alloying mechanismに、Interface reaction suppression and control conditions are clear and the purpose is the same. The equipment supply fee applied for this year was used for the production of a sample cooling device.それを Use いて to clean the Si(III) surface, へのMn atom adsorption process をオージェelectron spectroscopy (AES), electron エネルギーloss spectroscopy (EELS), および, low-speed electron Return (LEED) により Adjustment べ、Alloying がInitial stage にはChemical bonding モデルに従い、その后スクリーニングモデルに従うという新しいshapedで入むことをshowすRESULTをgetた.また、Light (soft X-ray) spectroscopy によるNi (またはCo) シリサイド-Si(III) bonding surface (layer) and interface electronic state およびatomic structure の research を行った. Si L_<2,3> Soft Fu close に鋭いピークが観measurement され, これはSiのS electronic state に対応するものと Conclusion された.これは従来広くcognizeめられてきたsolved 釈に変 updated をforced る新しい知见である. Co-シリサイドではE_F Fu close signal はNi-シリサイドほど顕出ではないが、やはりE_F Fu close にSi The existence of s electronic state means that the result is new and the result is obtained.また、Si L_<2,3>スペクトルがシリサイドとシリコンとでなることをいてsoft X-ray It is possible to perform non-destructive analysis of the joint interface using the light method and the シリサイド/シリコン bonding interface.