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チャネリングイオン注入法による GaAs 中の埋込形半絶縁層の形成

チャネリングイオン注入法による GaAs 中の埋込形半絶縁層の形成
通过沟道离子注入在 GaAs 中形成掩埋半绝缘层
批准号：
X00210----575006
负责人：
浅野 種正
金额：
$0.51万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1980
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1980 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00210----575006/
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ナノインクジェット技術による有機半導体単結晶薄膜のポジショニング成長
  • 批准号：
    21656006
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.05万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    浅野 種正
  • 依托单位：
    Kyushu University
金属触媒を利用したシリコン単結晶固相成長におけるナノ造形過程の研究
  • 批准号：
    15651070
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.5万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    浅野 種正
  • 依托单位：
    Kyushu Institute of Technology
歪ダイナミクス計測に基づくチップ積層集積システム化技術の研究
  • 批准号：
    14040216
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $2.88万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    浅野 種正
  • 依托单位：
    Kyushu Institute of Technology
超音波によるチップ積層接合時に発生する歪ダイナミクスと回路素子への効果
  • 批准号：
    13025239
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    浅野 種正
  • 依托单位：
    Kyushu Institute of Technology