ナノインクジェット技術による有機半導体単結晶薄膜のポジショニング成長
ナノインクジェット技術による有機半導体単結晶薄膜のポジショニング成長
批准号:
21656006
负责人:
浅野 種正
金额:
$2.05万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2009
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2009 至 2010
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・針式静電型インクジェットノズルを用いて,オンデマンド式に有機半導体溶液を吐出でき,所望の位置に有機半導体薄膜の単結晶粒を配置できることがわかり,またそれを用いた薄膜トランジスタを試作・評価し,当初の基本的な目標は達成した.・当初開発した針式静電型インクジェットは,液滴の吐出に比較的高い電圧を必要とするために,金属配線を形成した基板表面にこの方式で描画を行うと,放電により配線が破壊される事象が発生することがわかった.この問題に対し,より低電圧で吐出可能なスリット式静電型インクジェットノズルを考案した.・スリット式静電型インクジェットノズルを用いた場合には,針式に比べ,吐出できる液滴の大きさを大きくすることができることがわかった.しかし,基板表面に着弾した際に小さな液滴にばらけてしまい,結果的に大きな単結晶粒の形成にはつながらないことがわかった.この問題は,基板表面の濡れ性を制御する方法で解決できることを示した.・ドロップコーティングによる薄膜形成の際の薄膜形成過程を高速度カメラを用いて観察した結果,結晶核は液体の表面で主に発生し,その成長もまた液体の表面で起こることがわかった.したがって,有機半導体の溶媒の乾燥速度を最適化するため,各種溶媒について調査・試験し,乾燥速度の異なる液体を5種類以上用意することができた.この内,液滴の乾燥速度が最も小さな液体を用い,かつスリット式静電型インクジェットノズルを用いることで,大きさが数十ミクロンの有機半導体薄膜結晶粒をポジショニング成長できることを示した.・溶液の乾燥速度を調整することで,ドロップコーティングを用いて大きさが百ミクロン程度の有機半導体薄膜を形成することができた.これを用いて有機半導体単結晶トランジスタを試作した結果,小粒径の集合体を用いたトランジスタに比べてキャリヤ移動度が10倍程度大きくなることを示した.
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Grain Filtering in MILC and Its Impact on Performance of n- and p-channel TFTs
MILC 中的晶粒过滤及其对 n 和 p 沟道 TFT 性能的影响
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
Proceedings of the IEEE TENCON 2010
影响因子:
--
作者:
[S.Nagata, G.Nakagawa, Tanemasa Asano]
通讯作者:
Tanemasa Asano
Droplet Generation Behavior in Electrostatic Inkjet Patterning
静电喷墨图案化中的液滴生成行为
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
Proc.6th Int.Thin-Film Transistor Conf.
影响因子:
--
作者:
[Y.Ishida, M.Uotani, T.Asano]
通讯作者:
T.Asano
Nano Imprint Technology for Metal Induced Crystallization of Silicon and TFT Application
金属诱导硅晶化纳米压印技术及TFT应用
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y.Maeda, et al., T.Asano]
通讯作者:
T.Asano
Nano-inkjet and Its Application to Metal-Induced Crystallization of a-Si for poy-Si TFT
纳米喷墨及其在多晶硅TFT非晶硅金属诱导结晶中的应用
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
Electrochemical Society Transactions
影响因子:
--
作者:
[T.Asano, Y.Ishida]
通讯作者:
Y.Ishida
SWCNT TFT Made from Solution Process via PFOb Solubilizer
SWCNT TFT 通过 PFOb 增溶剂通过溶液工艺制成
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
Ext.Abs.2010 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
影响因子:
--
作者:
[X.Yi, H.Ozawa, G.Nakagawa, T.Fujigaya, N.Nakashima, T.Asano]
通讯作者:
T.Asano
共 9 条
金属触媒を利用したシリコン単結晶固相成長におけるナノ造形過程の研究
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批准号:15651070
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2003
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负责人:浅野 種正
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依托单位:
歪ダイナミクス計測に基づくチップ積層集積システム化技術の研究
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批准号:14040216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.88万
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财政年份:2002
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负责人:浅野 種正
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依托单位:
超音波によるチップ積層接合時に発生する歪ダイナミクスと回路素子への効果
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批准号:13025239
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2001
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负责人:浅野 種正
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依托单位:
非晶質絶縁物上への半導体単結晶薄膜の低温成長
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批准号:59750221
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1984
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负责人:浅野 種正
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依托单位:
結晶絶緑物を用いたシリコン基板上の砒化ガリウム薄膜トランジスタの製作
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批准号:58750229
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1983
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负责人:浅野 種正
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依托单位:
砒化ガリウム/絶縁物/シリコン三層構造のエピタキシャル成長
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批准号:56750197
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1981
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负责人:浅野 種正
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依托单位:
チャネリングイオン注入法による GaAs 中の埋込形半絶縁層の形成
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批准号:X00210----575006
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1980
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负责人:浅野 種正
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依托单位:
海外基金