Tieftemperatur-Rastertunnelspektroskopie-Untersuchungen zur lokalen elektronischen und magnetischen Struktur atomar definierter Halbleiter(2DEG)-Ferromagnet-Grenzflächen

原子定义半导体（2DEG）-铁磁体界面局部电子和磁结构的低温扫描隧道光谱研究

• 批准号: 5179068
• 负责人: Professor Dr. Roland Wiesendanger
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Nanostruktur- und Festkörperphysik (INF)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5179068?language=en
• 关键词: Tieftemperatur; Rastertunnelspektroskopie; Untersuchungen; zur; lokalen

Im Rahmen des Projektes soll die elektronische und magnetische Wechselwirkung ferromagnetischer Inseln mit niederdimensionalen Halbleiterstrukturen anhand des Modellsystems Fe/InAs(110) untersucht werden. Die Fe-Inseln werden in-situ mittels Molekularstrahlepitaxie auf das InAs(110)-Substrat aufgebracht. Das Fe pinnt das Ferminiveau des Halbleiters im Leitungsband und induziert damit ein zweidimensionales Elektronengas in den Halbleiter. Dessen z-Ausdehnung und Elektronendichte kann über die Probendotierung eingestellt werden. Die Fe/InAs(110)-Proben sollen zunächst in-situ mit der Beugung langsamer Elektronen, Augerelektronenspektroskopie, magnetooptischem Kerreffekt und Rastertunnelmikroskopie bei Raumtemperatur charakterisiert werden. Bei Bedarf stehen ex-situ weitere oberflächenphysikalische Methoden wie spinpolarisierte Photoelektronenspektroskopie oder Magnetkraftmikroskopie zur Verfügung. Ausgewählte Proben, deren Fe-Inseln ferromagnetisch sind und die eine glatte Grenzfläche zum Substrat aufweisen, werden dann mit Rastertunnelspektroskopie im Magnetfeld und spinpolarisierter Rastertunnelmikroskopie bei Temperaturen bis hinab zu 300 mK untersucht. Ziel des Projektes ist ein möglichst vollständiges Verständnis der Wechselwirkungen zu erlangen und den Einfluß der zugänglichen Präparationsparameter auf diese zu bestimmen.

本文介绍了一种具有一维半导体结构的铁磁体的电、磁传感器的设计方案，并对Fe/InAs（110）系统进行了韦尔登模拟。铁离子韦尔登在InAs（110）-衬底上原位形成分子束。这是铁在铅带上的铁镍合金，并在铁镍合金中使用了一种二维电子技术。Dessen z-Ausdehnung und Elektronenerte kann über die Probendotierung eingestellt韦尔登。Fe/InAs（110）-Proben sollen zunächst in situ mit der Beugung langsamer Elektronen，Auge-tronenspektroskopie，magneto-optischem Kerreffekt and Rastertunnelmikroskopie bei Raumtemperatur charakterisiert韦尔登. Bei Bedarf stehen ex-sitere weitere oberflächenphysicalische Methoden wie spinpolarisierte Photoelektronenspektroskopie or der Magnetkraftmikroskopie zur Verfügung.此外，Fe-Inseln铁磁体的存在和衬底上的一个光滑的Grenzfläche，韦尔登可以在磁场中使用光栅隧道光谱和在温度低于300 mK时使用自旋极化光栅隧道光谱。Ziel des Projektes ist ein möglichst vollständiges Verständnis der Wechselenkungen zu埃尔兰根und den Einfluencer der zugänglichen Präparationsparameter auf diese zu bestimmen.