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Tieftemperatur-Rastertunnelspektroskopie-Untersuchungen zur lokalen elektronischen und magnetischen Struktur atomar definierter Halbleiter(2DEG)-Ferromagnet-Grenzflächen

Tieftemperatur-Rastertunnelspektroskopie-Untersuchungen zur lokalen elektronischen und magnetischen Struktur atomar definierter Halbleiter(2DEG)-Ferromagnet-Grenzflächen
原子定义半导体(2DEG)-铁磁体界面局部电子和磁结构的低温扫描隧道光谱研究
批准号:
5179068
负责人:
Professor Dr. Roland Wiesendanger
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
1999
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1998-12-31 至 2001-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
[3][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][2]。fe - in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in- in-原位mitels在Leitungsband和industriiert damit in zweidimensionales Elektronengas in den Halbleiter中,Fe pinnt Das Ferminiveau des Halbleiter和industriiert damit in zweidimensionales electronics in den Halbleiter。德国电气工业与电子工业协会:德国电气工业协会。Die Fe/InAs(110)-Proben sollen zunächst原位实验研究[j] . Beugung - langsamer Elektronen, augerelektronenspektroskie,磁光kerreeffekt和rastertunnelmicroskopie .高温特性研究。Bedarf stehen非原位weitere oberflächenphysikalische Methoden wie spinpolarisierte Photoelektronenspektroskopie oder magnetkraftmicroskopie zur verfgung。Ausgewählte Proben, deren Fe-Inseln铁磁材料和die - ine glatte Grenzfläche zum substrate aufweisen, werden dann mit Rastertunnelspektroskopie in magnenetfield和spinpolarisierter rastertunnelmicroskopie bei temperature,他的实验室在300 mK下。Ziel des Projektes ist in möglichst vollständiges Verständnis der wehselwirkungen zu erlangen和den Einfluß der zugänglichen Präparationsparameter aufese zu beestimmen。
英文摘要
Im Rahmen des Projektes soll die elektronische und magnetische Wechselwirkung ferromagnetischer Inseln mit niederdimensionalen Halbleiterstrukturen anhand des Modellsystems Fe/InAs(110) untersucht werden. Die Fe-Inseln werden in-situ mittels Molekularstrahlepitaxie auf das InAs(110)-Substrat aufgebracht. Das Fe pinnt das Ferminiveau des Halbleiters im Leitungsband und induziert damit ein zweidimensionales Elektronengas in den Halbleiter. Dessen z-Ausdehnung und Elektronendichte kann über die Probendotierung eingestellt werden. Die Fe/InAs(110)-Proben sollen zunächst in-situ mit der Beugung langsamer Elektronen, Augerelektronenspektroskopie, magnetooptischem Kerreffekt und Rastertunnelmikroskopie bei Raumtemperatur charakterisiert werden. Bei Bedarf stehen ex-situ weitere oberflächenphysikalische Methoden wie spinpolarisierte Photoelektronenspektroskopie oder Magnetkraftmikroskopie zur Verfügung. Ausgewählte Proben, deren Fe-Inseln ferromagnetisch sind und die eine glatte Grenzfläche zum Substrat aufweisen, werden dann mit Rastertunnelspektroskopie im Magnetfeld und spinpolarisierter Rastertunnelmikroskopie bei Temperaturen bis hinab zu 300 mK untersucht. Ziel des Projektes ist ein möglichst vollständiges Verständnis der Wechselwirkungen zu erlangen und den Einfluß der zugänglichen Präparationsparameter auf diese zu bestimmen.
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