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Optimierung der elektrochemischen Nanostrukturierung von Si(hkl)-Einkristalloberflächen für Anwendungen in der Nanoelektronik

优化 Si(hkl) 单晶表面的电化学纳米结构在纳米电子学中的应用

基本信息

批准号：
5179425
负责人：
Professor Dr.-Ing. Werner Wiesbeck
金额：
--
依托单位：
Institut für Photonik und Quantenelektronik (IPQ)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Priority Programmes
财政年份：
1999
资助国家：
德国
起止时间：
1998-12-31 至 2000-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5179425?language=en
关键词：
Optimierung der elektrochemischen Nanostrukturierung von

项目摘要

Gegenstand des Forschungsvorhabens ist die Optimierung der bereits gelungenen Nanostrukturierung von n-Si(hkl)-Einkristalloberflächen mit Hilfe von in situ-STM unter definierten elektrochemischen Bedingungen im Hinblick auf praktische Anwendungen in der Nanoelektronik. Das System Halbleiter/Metall ist durch schwache Wechselwirkung zwischen Me-Adatomen und dem Halbleiter-Substrat gekennzeichnet. Daher sind iD-Metallcluster und Metallphasen niederer Dimensionalität (i = 0,1,2) im Untersättigungsbereich im Prinzip thermodynamisch instabil, und eine lokale Nanostrukturierung sollte nur mit 3D-Metallphasen im Übersättigungsbereich auf unmodifizierten Halbleitersubstraten nach einem Volmer-Weber-Wachstumsmechanismus möglich sein. Die bisherigen Ergebnisse zeigen jedoch, daß sich die elektrochemisch abgeschiedenen und relativ stabilen Metallcluster auf n-Si(111) nicht wie eine 3D-Metallphase verhalten, sondern als Nanopartikel offenbar eigene thermodynamische, strukturelle und kinetische Eigenschaften besitzen, die es aufzuklären gilt. Weiterhin muß der Einfluß verschiedener elektrochemischer Parameter auf Größe, Struktur, thermodynamische Stabilität und Kenitek der Metall-Nanopartikel und deren Weiterwachsen zu 1D- und 2D-Metallphasen systematisch untersucht werden, um Anwendungen in der Nanoelektronik zu gewährleisten. Hierbei sind sowohl passive als auch aktive Komponenten im Millimeterwellenbereich Fernziel der Arbeit.

研究的基础是n-Si（hkl）纳米结构的最佳化--利用原位扫描隧道显微镜的辅助作用，在纳米电子学的实际应用中，在Hinblick中确定电化学作用。该系统Halbleiter/金属是通过schwache wechselectivenkung zwischen我adatomen和dem Halbleiter-衬底gekennzeichnet。Daher sind iD-Metallcluster und Metallphasen niederer discriminalität（i = 0，1，2）im Untersättigungsbereich im Prinzip instabil，and eine locale Nanostrukturierung sollte努尔mit 3D-Metallphasen im Übersättigungsbereich auf unmodifizierten Halbleitersubstraten nach einem Volmer-Weber-Wachstumsmechanismus möglich sein.这一结果表明，在n-Si（111）上的电化学吸收和相对稳定的金属团簇并不像3D金属相那样稳定，因为纳米粒子具有本征吸收、结构和动力学特征，因此它们是镀金的。在纳米电子学中，通过对金属-纳米粒子的几何、结构、稳定性和动力学参数的影响，以及对一维和二维金属相体系的影响，可以韦尔登电子学的进一步发展。它是一种被动的东西，也是一种积极的东西，它在千年的劳动中起着重要的作用。